[发明专利]一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201910230452.1 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110112296A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;唐泽国;张倩 | 申请（专利权）人： | 北京宏泰创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 制备 刮涂 太阳能电池 电子传输层 空穴传输层 吸收层 喷涂 钙钛矿层 制备钙钛矿 表面缺陷 基础平台 绿色生产 对设备 膜层 平整 节约 应用 保证 | ||
1.一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括采用刮涂法制备电子传输层和空穴传输层，采用先喷涂后刮涂的方法制备钙钛矿吸收层。
2.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿吸收层的制备步骤为：
在所述电子传输层或所述空穴传输层上喷涂PbI2溶液，得到PbI2薄膜层；在所述碘化铅薄膜层上刮涂FAI/MACl/MABr的混合溶液，得到钙钛矿吸收层。
3.根据权利要求2所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述PbI2溶液的浓度为1.13mol/L-1.53mol/L。
4.根据权利要求2所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述PbI2薄膜层的厚度为150nm-250nm。
5.根据权利要求2所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿吸收层的厚度为300nm-400nm。
6.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料为SnO2。
7.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm-50nm。
8.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材料为Spiro-OMeTAD或PTAA。
9.根据权利要求1所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为150nm-250nm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的一种大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池为正式或反式结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
