[发明专利]一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法

权利要求书

1.一种改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

步骤一、提供将第二氮掺杂碳化物层作为上表面层的半导体结构，所述第二氮掺杂碳化物的表面具有疏水性的硅-碳-氢-氮化合物；

步骤二、用水对所述第二氮掺杂碳化物的表面进行冲洗，以去除所述表面污物；

步骤三、用异丙酮冲洗所述表面，使异丙酮与所述表面残余的水相融合；

步骤四、利用氮气对所述表面吹喷，将已溶于异丙酮的水带离所述表面。

2.根据权利要求1所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述步骤一中的半导体结构还包括：金属层、位于该金属层上的第一氮掺杂碳化物层、位于所述第一氮掺杂碳化物层上的TEOS层、位于所述TEOS层上的低介电层以及位于所述低介电层上的步骤一中所述第二氮掺杂碳化物层。

3.根据权利要求2所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：形成所述半导体结构的方法包括以下步骤：(1)形成所述金属层；(2)在所述金属层上形成所述第一氮掺杂碳化物层；(3)在所述第一氮掺杂碳化物层上形成所述TEOS层；(4)在所述TEOS层上沉积形成低介电层；(5)在所述低介电层上形成所述第二氮掺杂碳化物层。

4.根据权利要求3所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：形成所述低介电层的方法为化学气相沉积法。

5.根据权利要求4所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述低介电层的材料为BDII。

6.根据权利要求5所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：形成所述第一、第二氮掺杂碳化物层的方法为：提供四甲基硅烷和氨，使得二者完全反应形成所述第一、第二氮掺杂碳化物层。

7.根据权利要求6所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：步骤一中所述硅-碳-氢-氮化合物的形成是由四甲基硅烷和氨发生不完全反应形成所述硅-碳-氢-氮化合物。

8.根据权利要求7所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述第一氮掺杂碳化物层的厚度为250埃。

9.根据权利要求8所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述TEOS层的厚度为150埃。

10.根据权利要求9所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述低介电层的厚度为1570埃。

11.根据权利要求10所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述第二氮掺杂碳化物层的厚度为100埃。

12.根据权利要求11所述的改善氮掺杂碳化物堆叠后的清洁产生水痕的方法，其特征在于：所述TEOS层最终分解形成二氧化硅层。