[发明专利]单端操作的灵敏放大器有效
申请号: | 201910231209.1 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN109920454B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 张适纬 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 操作 灵敏 放大器 | ||
1.一种单端操作的灵敏放大器,其特征在于:包括放大器主体电路,所述放大器主体电路的第一输入端连接参考电压以及第二输入端连接数据线,所述放大器主体电路的输出端输出所述参考电压和所述数据线的数据电压的比较信号;
所述数据线和存储单元相连,所述参考电压由参考偏置网络电路的输出端输出,所述数据电压输入到所述参考偏置网络电路并对所述参考电压进行动态调节;
在读取操作之前,所述数据电压被预充电到第一高电平,所述参考电压被预置到第一低电平;
所述存储单元所存储的信息为0时的读取操作为读0操作,在所述读0操作中,所述数据线会通过所述存储单元放电并使所述数据电压从第一高电平逐渐降低到第二低电平,所述第二低电平低于所述第一低电平,逐渐降低的所述数据电压会使所述参考电压逐渐增加到第二高电平,所述第二高电平小于所述第一高电平,通过增加的所述参考电压来增加所述读0操作中的读取窗口,所述读取窗口为所述参考电压和所述数据电压的差值;
所述参考偏置网络电路包括由上拉电流源和下拉电流源组成的比较电路,所述上拉电流源和所述下拉电流源在第三节点处相连接并形成输出所述参考电压的输出端;
所述下拉电流源的控制端连接所述数据线,在读取过程中,当所述数据电压的降低时所述下拉电流源的电流会减少并使所述参考电压增加,从而在所述读0操作中使所述参考电压逐渐增加以及在读1操作中使所述参考电压得到保持;
所述下拉电流源包括第一下拉电流支路和第二下拉电流支路,所述第二下拉电流支路的电流大小受所述数据电压控制;
所述第二下拉电流支路包括多个下拉电流子支路,各所述下拉电流子支路的电流大小受所述数据电压控制,通过对各所述下拉电流子支路进行组合控制来调节所述第二下拉电流支路的电流大小;
在读取过程中,所述第一下拉电流支路截止,所述第二下拉电流支路导通;在预充电过程中,所述第一下拉电流支路导通,所述第二下拉电流支路截止。
2.如权利要求1所述的单端操作的灵敏放大器,其特征在于:所述存储单元所存储的信息为1时的读取操作为读1操作,在所述读1操作中,所述数据电压会保持为所述第一高电平,所述第一高电平的所述数据电压会使所述参考电压保持为所述第一低电平,所述读1操作中的读取窗口得到保持或增加。
3.如权利要求2所述的单端操作的灵敏放大器,其特征在于:所述放大器主体电路包括由第一NMOS管和第一PMOS管连接形成的第一CMOS电路和由第二NMOS管和第二PMOS管连接形成的第二CMOS电路,所述第一CMOS电路的输入端和所述第二CMOS电路的输出端都连接到第一节点,所述第一CMOS电路的输出端和所述第二CMOS电路的输入端都连接到第二节点。
4.如权利要求3所述的单端操作的灵敏放大器,其特征在于:所述放大器主体电路的第一输入端通过第一传输门连接所述参考电压;
所述放大器主体电路的第二输入端通过第二传输门连接所述数据电压。
5.如权利要求4所述的单端操作的灵敏放大器,其特征在于:所述第一传输门和所述第二传输门都为CMOS传输门;
所述第一传输门的正相控制端连接第一控制信号,所述第一传输门的反相控制端连接第一控制信号的反相信号;所述第二传输门的正相控制端连接第一控制信号,所述第二传输门的反相控制端连接第一控制信号的反相信号。
6.如权利要求1所述的单端操作的灵敏放大器,其特征在于:所述上拉电流源由多路上拉电流支路并联而成,通过对各所述上拉电流支路进行组合控制来调节所述上拉电流源的大小。
7.如权利要求1所述的单端操作的灵敏放大器,其特征在于:所述第一下拉电流支路和所述第二下拉电流支路的导通和截止通过第一数字电路控制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910231209.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。