[发明专利]影像传感器及其制造方法

说明书

本发明公开一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括具有主动面与背面的基底、第一与第二隔离结构、光二极管、存储节点、晶体管、反光层以及微透镜。第一隔离结构设置于主动面处的基底中以界定出主动区。光二极管与存储节点设置于主动区中的基底中且彼此间隔开。晶体管设置于光二极管与存储节点之间且分别与两者电连接。第二隔离结构设置于背面处的基底中且与第一隔离结构连接。反光层具有位于主动面上的第一部分、位于第一与第二隔离结构中的第二部分以及位于背面上的第三部分，其中第二部分连接第一与第三部分，且第三部分不与光二极管的整体重叠。微透镜设置于反光层上。

技术领域

本发明涉及一种影像传感器及其制造方法。

背景技术

随着数字相机、电子扫描机等产品不断地开发与成长，市场上对影像感测元件的需求持续增加。目前常用的影像感测元件包含有电荷耦合感测元件(charge coupleddevice，CCD)以及互补式金属氧化物半导体影像传感器(complementary metal-oxide-semiconductor image sensor，CMOS image sensor，CIS)两大类，其中CMOS影像传感器因具有低操作电压、低功率消耗与高操作效率、可根据需要而进行随机存取等优点，且同时具有可整合于目前的半导体技术以大量制造的优势，因此应用范围非常广泛。

为了避免高速移动的物体的影像产生变形，目前发展出一种全域快门(globalshutter，GS)影像传感器，其主要包括晶体管、光二极管(photodiode，PD)以及用以存储电信号的存储节点(memory node，MN)。

然而，当来自于外部的光进入影像传感器时，部分的光会进入存储节点区域而使得存储节点具有寄生光敏度(parasitic light sensitivity，PLS)。此外，相邻的光二极管之间也会容易因彼此之间的光干扰而导致电信号受到影响。如此一来，影响了影像传感器的效能。

发明内容

本发明提供一种影像传感器，其中光二极管与存储节点的周围被反光层围绕且上方与下方被反光层覆盖。

本发明提供一种影像传感器的制造方法，其用以制造上述的影像传感器。

本发明的影像传感器包括基底、第一与第二隔离结构、光二极管、存储节点、晶体管、反光层以及微透镜。所述基底具有彼此相对的主动面与背面。所述第一隔离结构设置于所述主动面处的所述基底中，以界定出主动区。所述光二极管与所述存储节点设置于所述主动区中的所述基底中，且彼此间隔开。所述晶体管设置于所述光二极管与所述存储节点之间，且分别与两者电连接。所述第二隔离结构设置于所述背面处的所述基底中，且与所述第一隔离结构连接。反光层具有位于所述主动面上的第一部分、位于所述第一隔离结构与所述第二隔离结构中的第二部分以及位于所述背面上的第三部分，其中所述第二部分连接所述第一部分与所述第三部分，且所述第三部分不与所述光二极管的整体重叠。所述微透镜设置于所述反光层上。

在本发明的影像传感器的一实施例中，所述反光层例如为金属层。

在本发明的影像传感器的一实施例中，还包括设置于所述反光层与所述背面之间的介电层。

在本发明的影像传感器的一实施例中，还包括设置于所述反光层与所述微透镜之间的彩色滤光层以及设置于所述彩色滤光层与所述反光层之间的介电层。

在本发明的影像传感器的一实施例中，还包括设置于所述主动面上的内连线结构。所述内连线结构包括覆盖所述晶体管与所述反光层的所述第一部分的介电层以及设置于所述介电层中且与所述晶体管电连接的线路结构。