[发明专利]发光二极管的外延片的制备方法及外延片有效
| 申请号： | 201910231496.6 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110148652B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋媛媛;纪磊;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
向反应腔内间断性地通入镓源，向反应腔内持续通入铝源、氨气，在所述衬底上生长AlGaN缓冲子层；
向所述反应腔内间断性地通入氨气，向反应腔内持续通入铝源，在所述AlGaN缓冲子层上生长AlN缓冲子层；
在所述AlN缓冲子层上生长非掺杂GaN层；
在所述非掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，向所述反应腔内间断性地通入氨气，向反应腔内持续通入铝源，包括：
每次向所述反应腔内通入的氨气的流量为1500～2400μmol/min，向所述反应腔内通入的铝源的流量与每次向所述反应腔内通入的氨气的流量的比值为1:120～1:180。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，向所述反应腔内间断性地通入氨气，向反应腔内持续通入铝源，包括：
每间隔8～10s通入一次所述氨气。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，向所述反应腔内间断性地通入氨气，向反应腔内持续通入铝源，包括：
每次通入所述氨气的时间为4～6s。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，每两次通入所述氨气之间的间隔时间均相等，每次通入所述氨气的时间与所述间隔时间的比值为1:1.5～1:2。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，向所述反应腔内通入氨气的次数为20～30次。
7.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲子层的生长温度逐渐增加，每次向所述反应腔内通入的氨气的流量逐渐增加。
8.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲子层的生长温度为800～1000℃。
9.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，向反应腔内间断性地通入镓源，向反应腔内持续通入铝源、氨气，包括：
每次向所述反应腔内通入的镓源的流量为0.3～0.5μmol/min，向所述反应腔内通入的氨气的流量为500～800μmol/min，向所述反应腔内通入的铝源的流量与每次向所述反应腔内通入的氨气的流量的比值为1:120～1:180。
10.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片采用权利要求1～9任一项所述的制备方法制备，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlGaN缓冲子层、AlN缓冲子层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层。
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