[发明专利]薄膜体声波谐振器和滤波器在审
| 申请号： | 201910231636.X | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109756201A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘绍侃;李善斌;史晓婷;霍俊标;张雪奎;董谦 | 申请（专利权）人： | 深圳华远微电科技有限公司;北京中讯四方科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/04;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜体声波谐振器 支撑层 薄膜体声波滤波器 三明治压电堆 底电极层 背离 底电极 衬底 滤波器 机电耦合系数 功率承受力 层叠结合 工作频率 温度系数 硅衬底 兼容性 围合成 空腔 振器 封闭 支撑 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于：包括
衬底，至少具有一表面，且在所述一表面的中部上开设有向所述衬底内部方向凹陷形成的凹槽；
支撑层，所述支撑层层叠结合在所述衬底的开设有所述凹槽的所述表面上，并由所述支撑层和凹槽围合成封闭的空腔；
第一底电极层，所述第一底电极层层叠结合在所述支撑层的背离所述衬底的表面上；
温飘层，所述温飘层叠结合在所述第一底电极的背离所述支撑层的表面上；
三明治压电堆结构，所述三明治压电堆结构层叠在所述温飘层的背离所述第一底电极层的表面上，所述三明治压电堆结构是由顶电极层、压电层和第二底电极层依次层叠形成，且所述第二底电极层与所述温飘层层叠结合。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述温飘层为掺氟氧化硅膜层、二氧化硅膜层、掺氟氧化硅与二氧化硅的混合物膜层中的任意一层。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述温飘层的厚度为800-1000埃米。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述支撑层为Si3N4膜层、非晶态AlN膜层、Si3N4与非晶态AlN混合物膜层中的任意一层。
5.根据权利要求1、2或4任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述支撑层的厚度为1000-1200埃米。
6.根据权利要求1、2或4任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极层的材料为Mo、Al、Pt、W、Au、Al、Ni、Ag中的至少一种；和/或
所述顶电极层的厚度为2300-2500埃米。
7.根据权利要求1、2或4任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一底电极层和第二底电极层的材料相同或不同的为Mo、Al、Pt、W、Au、Al、Ni、Ag中的至少一种。
8.根据权利要求1、2或4任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电层为氮化铝膜层、氧化锌膜层、氮化铝与氧化锌混合物膜层中的任意一层。
9.根据权利要求1、2或4任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述凹槽的深度为小于3μm。
10.一种薄膜体声波滤波器，其特征在于，包括有如权利要求1-9中任一项所述的薄膜体声波谐振器。
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