[发明专利]一种片状铯钨青铜纳米粉体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910231684.9 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109761282B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李锐星;刘光辉;徐菊 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 瞿晓晶 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钨青铜 纳米粉体 长方形片状结构 红外线屏蔽 制备方法和应用 近红外线 片状结构 可控 屏蔽 制备 | ||
1.一种片状铯钨青铜纳米粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将钨源、硫脲、pH值调节剂、油胺、铯源和水混合后进行水热还原反应，得到片状铯钨青铜纳米粉体；
所述pH值调节剂调节pH值至1～6；
所述钨源中的钨、硫脲、油胺和铯源中的铯的摩尔比为1：0.01～5：0.45～0.5：0.2～0.6；
所述水热还原反应的温度为140～240℃，压力为1～5MPa，时间为6～40h；
组成所述片状铯钨青铜纳米粉体的铯钨青铜的成分为Cs0.20WO3、Cs0.30WO3或Cs0.32WO3；
所述片状铯钨青铜纳米粉体具有长方形片状结构，所述片状结构的厚度为10～50nm，长度为400～1000nm，宽度为100～500nm。
2.根据权利要求1所述的片状铯钨青铜纳米粉体的制备方法，其特征在于，所述钨源为仲钨酸铵或偏钨酸铵。
3.根据权利要求1所述的片状铯钨青铜纳米粉体的制备方法，其特征在于，所述pH值调节剂为HCl、HNO3或H2SO4。
4.根据权利要求1所述的片状铯钨青铜纳米粉体的制备方法，其特征在于，所述铯源为CsCl、Cs2CO3或Cs2SO4。
5.根据权利要求1所述的片状铯钨青铜纳米粉体的制备方法，其特征在于，所述水热还原反应的温度为180～220℃，压力为2～3MPa，时间为10～30h。
6.根据权利要求1所述的片状铯钨青铜纳米粉体的制备方法，其特征在于，所述水热还原反应后还包括对所得水热还原反应液进行冷却；所述冷却的温度为0.1～2℃/min。
7.一种权利要求1～6任一项所述制备方法制备得到的片状铯钨青铜纳米粉体，其特征在于，组成所述片状铯钨青铜纳米粉体的铯钨青铜的成分为Cs0.20WO3、Cs0.30WO3或Cs0.32WO3；
所述片状铯钨青铜纳米粉体具有长方形片状结构，所述片状结构的厚度为10～50nm，长度为400～1000nm，宽度为100～500nm。
8.根据权利要求7所述的片状铯钨青铜纳米粉体，其特征在于，所述片状结构的厚度为20～30nm，长度为550～700nm，宽度为200～350nm。
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