[发明专利]存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法在审

专利信息
申请号: 201910231779.0 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110308869A 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 金大正;姜志锡;高兑京;金成峻;金玗燮;朴赞益;申院济;庾庸准;崔仁寿 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 史泉;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 控制器 读取请求 非易失性存储器模块 非易失性存储器装置 存储器系统 易失性存储器装置 操作存储器 存储器模块 重新发送 配置 读取操作期间 正常数据
【说明书】:

公开一种存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。所述存储器系统包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器可对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。

本申请要求于2018年3月27日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0035270号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过整体引用包含于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及一种半导体存储器,更具体地讲,涉及一种包括存储器模块的存储器系统、存储器模块及操作存储器模块的方法。

背景技术

半导体存储器使用半导体装置来存储数据。半导体存储器包括易失性存储器(诸如,动态随机存取存储器或静态随机存取存储器)和非易失性存储器(诸如,闪存、相变存储器、铁电存储器、磁性存储器、电阻式存储器等)。

通常,易失性存储器支持高速随机存取,并被用作计算系统(诸如,个人计算机、服务器或工作站)的主存储器。非易失性存储器支持大存储容量,并被用作计算系统的辅助存储装置。

近些年,已经研究并开发了存储类存储器(SCM)。开发存储类存储器以支持非易失性存储器的大存储容量和易失性存储器的高速随机存取。存储类存储器使用非易失性存储器来实现。

为了与现有的主存储器兼容,正基于与动态随机存取存储器相同的存储器模块来研究和开发存储类存储器。然而,由于作为主存储器的动态随机存取存储器的操作特性与非易失性存储器的操作特性之间的差异,在实现存储类存储器时可能存在问题。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种包括能够克服操作特性之间的差异并正常执行读取和写入的存储器模块的存储器系统、存储器模块以及操作存储器模块的方法。

根据一些实施例,一种存储器系统可包括:非易失性存储器模块;第一控制器,被配置为控制非易失性存储器模块。非易失性存储器模块可包括:易失性存储器装置;非易失性存储器装置;第二控制器,被配置为控制易失性存储器装置和非易失性存储器装置。第一控制器可被配置为将读取请求发送到第二控制器。当在根据所述读取请求的读取操作期间从非易失性存储器装置没有接收到正常数据时,第一控制器对第二控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送,而不限制第一控制器执行所述读取请求的一次或多次重新发送的次数。

正常数据可包括无错误数据或具有在可校正范围内的错误的可校正数据,在发送所述读取请求之后,当第一时间段过去而没有接收到正常数据时,第一控制器可执行所述一次或多次重新发送中的所述读取请求的第一次重新发送,在所述读取请求的第一次重新发送之后,当第二时间段过去而没有接收到正常数据时,第一控制器可执行所述一次或多次重新发送中的所述读取请求的第二次重新发送。

第二时间段可短于第一时间段。

正常数据可包括无错误数据或具有在可校正范围内的错误的可校正数据,响应于接收到所述读取请求,第二控制器可从非易失性存储器装置或易失性存储器装置之一读取包括正常数据或不可校正数据的数据。

在第二控制器从非易失性存储器装置读取所述数据的同时,第二控制器可忽略所述读取请求的一次或多次重新发送。

在从非易失性存储器装置读取所述数据之后,响应于所述读取请求的一次或多次重新发送中的至少一次重新发送,被读取的所述数据可被发送到第一控制器。

在执行所述读取请求的一次或多次重新发送中的第一次重新发送之后,当第三时间段过去而没有接收到正常数据时,第一控制器可确定读取失败。

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