[发明专利]晶圆加工装置

权利要求书

1.一种晶圆加工装置，包括：

反应腔室，能放置多个沿纵向方向堆叠的晶圆；

多个第一管路，用于输送第一反应气体，每个所述第一管路从所述反应腔室的下方沿所述纵向方向延伸至相应的预设高度；

第二管路，用于输送第二反应气体，所述第二管路从所述反应腔室的下方伸入；以及

第三管路，用于输送第三反应气体，所述第三管路从所述反应腔室的下方伸入；

多个温控装置，位于所述反应腔室内，所述温控装置的数量与所述第一管路对应，每个所述温控装置位于对应的所述第一管路的输气口水平位置处，以控制所述反应腔室内相应的所述预设高度处的温度；

壳体，所述反应腔室位于所述壳体中，所述反应腔室的侧壁与所述壳体形成气路通道；以及

真空泵，位于所述壳体外部，与所述气路通道连通，

其中，每个所述第一管路的输气口在相应的所述预设高度处向所述反应腔室提供所述第一反应气体，且所述多个第一管路的输气口分别与不同位置处的所述晶圆对应，所述第二反应气体与所述第三反应气体在所述反应腔室内发生反应，并将所述反应产物附着在所述多个晶圆表面，所述反应产物包括二氧化硅，所述第一反应气体包括氨气，所述氨气与所述多个晶圆反应以在所述多个晶圆表面掺杂氮元素，

通过所述真空泵将所述反应腔室的内部的气体从所述反应腔室的底部抽送至所述反应腔室的顶部，再经由所述气路通道排出，

多个所述温度控制装置位于所述气路通道中。

2.根据权利要求1所述的晶圆加工装置，其中，所述第一反应气体包括一氧化二氮，所述第二反应气体包括二氯硅烷。

3.根据权利要求1所述的晶圆加工装置，其中，所述多个第一管路的数量包括5个。

4.根据权利要求1所述的晶圆加工装置，其中，所述晶圆包括控挡片。

5.根据权利要求1-4任一所述的晶圆加工装置，其中，所述晶圆加工装置包括低压化学气相沉积管炉。