[发明专利]一种生长在碳布上的富银硒化银柔性场发射阴极材料的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910232341.4 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109950113B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李羚玮;侯鑫;薛绍林 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;王文颖 |
| 地址： | 201600 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碳布上 富银硒化银 柔性 发射 阴极 材料 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
(1)制备含有银源和硒源的混合溶液的制备方法包括：使用电子天平称量0.407g硝酸银粉末和相应量的十六烷基三甲基溴化铵，将去离子水加入烧杯中，用玻璃棒搅拌至完全溶解，再加入1g硒粉作为硒源和40mL乙二醇，将所得溶液混合均匀；向其中加入5mL的氨水；利用磁力搅拌机搅拌半个小时至均匀，得到含有银源和硒源的混合溶液；
(2)生长在碳布上的富银硒化银纳米材料的制备方法，其特征在于，碳纤维布要先分别用丙酮、乙醇和去离子水清洗碳布20分钟，然后用浓度为65％的硝酸浸泡24小时，以提高碳布的表面亲水性；
(3)将含有银源和硒源的溶液混合，倒入装有碳纤维布的聚四氟乙烯做内衬的高压反应釜中，然后进行密闭，放入高温高压的反应炉里在180℃下进行16h的加热反应，得到生长在碳布上的富银硒化银纳米材料；
所述富银硒化银纳米材料的开启电场为0.86V/μm，场增强因子为3972。
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