[发明专利]一种增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法和应用

权利要求书

1.一种增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法，其特征在于，将含有锌源和硒源的混合溶液倒入装有氧化石墨烯片的聚四氟乙烯做内衬的高压反应釜中，然后进行密闭，放入反应炉里进行加热反应，得到ZnSe/GO毛刺球结构纳米材料；所述含有锌源和硒源的混合溶液的制备方法为：将Zn(CH₃COO)₂·2H₂O溶解于去离子水中，再加入硒粉、乙二胺四乙酸，将所得溶液混合均匀；然后加入氢氧化钠，搅拌均匀，得到含有锌源和硒源的混合溶液。

2.如权利要求1所述的增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯片的制备方法为：将石墨粉和硝酸钠溶解于浓硫酸中，将溶液在冰水浴中搅拌，将KMnO₄分为多次缓慢加入到溶液中，在20℃下保持2h，然后在35℃下搅拌2h；再用去离子水稀释混合溶液，在90℃下剧烈搅拌0.5h；将H₂O₂缓慢添加到溶液中并搅拌均匀；用盐酸溶液和去离子水反复洗涤混合溶液，去除残留的硫酸根离子；然后在-60℃的真空条件下冷冻干燥，通过研磨获得GO粉末，将其分散于无水乙醇中，得到均匀的悬浮液涂在未沉积的硅基片上。最后将硅基片置于石英炉中，在1小时内将温度调到650℃，再冷却到室温时，即得氧化石墨烯片。

3.如权利要求2所述的增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法，其特征在于，所述石墨粉与硝酸钠的质量比为1：1；浓硫酸的浓度为98wt％，石墨粉与浓硫酸的质量体积比为1g：20mL；石墨粉与KMnO₄的质量比为1：3；H₂O₂的质量浓度为30wt％，其与浓硫酸的体积比为3：10；盐酸溶液的浓度为0.5mol/L。

4.如权利要求1所述的增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法，其特征在于，所述Zn(CH₃COO)₂·2H₂O与去离子水的质量比为1:50，与硒粉的质量比为1:1，与乙二胺四乙酸的质量比为1:3，与氢氧化钠的质量比为4:1。

5.如权利要求1所述的增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法，其特征在于，所述反应炉内的反应温度为190℃，反应时间为36h。

6.一种权利要求1-5任意一项所述的增强ZnSe/GO复合材料的场发射性能的制备方法制备的ZnSe/GO复合材料制备的ZnSe/GO复合材料在场发射阴极材料中的应用。