[发明专利]用于功率半导体开关的控制装置在审

专利信息
申请号: 201910232894.X 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110324028A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: J·施密特 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H03K17/0812 分类号: H03K17/0812
代理公司: 重庆西联律师事务所 50250 代理人: 唐超尘
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 控制装置 电阻器 导电方式 电流路径 电气端子 二极管 电路节点 致动装置 电容 功率半导体开关 阴极 控制装置端子 加速电路 输出连接 制动装置 阳极 电连接 取向 电路 输出
【权利要求书】:

1.一种用于功率半导体开关(T)的控制装置,其特征在于该功率半导体开关(T)具有第一负载电流端子(E)、第二负载电流端子(C)以及控制端子(G'),所述控制装置包括:

-第一电气控制装置端子(A1),其设置成用于与第一负载电流端子(E)电连接;

-第二电气控制装置端子(A2),其设置成用于与控制端子(G')电连接;

-致动装置(3),其设计成,根据控制信号(A),以相互交替的方式,在其第一输出(AG1)上产生用于接通功率半导体开关(T)的第一致动电压(Ua1),在其第二输出(AG2)上产生用于切断功率半导体开关(T)的第二致动电压(Ua2);

-第一电流路径(SP1),其以导电的方式将致动装置(3)的第一输出(AG1)连接到控制装置(2)的电路节点(7);

-第二电流路径(SP2),其以导电的方式将致动装置(3)的第二输出(AG2)连接到控制装置(2)的电路节点(7),其中第二电流路径(SP2)包括电气切断电阻器(Roff),其在电路中在致动装置(3)的第二输出(AG2)和控制装置(2)的电路节点(7)之间电连接;

-第三电流路径(SP3),其以导电方式将控制装置(2)的电路节点(7)连接到第二控制装置端子(A2);以及

-切断加速电路(6),其与切断电阻器(Roff)并联电连接,包括二极管(D1)、电阻器(R1)和与所述电阻器(R1)并联电连接的电容(C1),其中二极管(D1)的阴极以导电方式连接到电容(C1)的第二电气端子(9b),并且电容(C1)的第一电气端子(9a)以导电方式连接到切断电阻器(Roff)的第一电气端子(10a),该第一电气端子(10a)朝向致动装置(3)电气取向,并且二极管(D1)的阳极以导电方式连接到切断电阻器(Roff)的第二电气端子(10b)。

2.根据权利要求1所述的控制装置,其特征在于切断加速电路(6)中的电阻器(R1)的阻值比切断电阻器(Roff)的阻值大至少10%。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的控制装置,其特征在于功率半导体开关(T)包括集成在所述功率半导体开关(T)中的电气栅极串联电阻器(Rv)。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的控制装置,其特征在于第三电流路径(SP3)包括电致动栅极串联电阻器(Rv'),其电连接在致动装置(3)的电路节点(7)和第二控制装置端子(A2)之间。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的控制装置,其特征在于第一电流路径(SP1)包括电接通电阻器(Ron),其电连接在致动装置(3)的第一输出(AG1)和控制装置的电路节点(7)之间。

6.一种功率半导体电路,其特征在于其具有功率半导体开关(T)并具有根据权利要求1至5中任一项构造的用于所述功率半导体开关(T)的控制装置(2),其中第一控制装置端子(A1)以导电的方式连接到功率半导体开关(T)的第一负载电流端子(E),第二控制装置端子(A2)以导电的方式连接到功率半导体开关(T)的控制端子(G')。

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