[发明专利]一种用于降低LED晶圆曲翘度的工艺制造方法

权利要求书

1.一种用于降低LED晶圆曲翘度的工艺制造方法，其特征在于，所述工艺制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长外延层，所述外延层为在第一方向上依次生长的缓冲层、DBR反射层、N型限制层、MQW量子阱有源层、P型限制层和P型窗口层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；

在所述P型窗口层背离所述P型限制层的一侧设置P电极；

设置保护层，所述保护层覆盖所述外延层和所述P电极；

测量所述P电极与所述衬底之间的厚度；

依据所述厚度，确定刀高从所述P电极开始进行第一次半切割，且至少切穿所述MQW量子阱有源层；

对所述衬底进行减薄处理；

在所述衬底背离所述外延层的一侧设置N电极；

去除所述保护层；

沿着所述第一次半切割的痕迹，进行第二次切割，且切穿所述N电极，以形成单个的LED芯粒。

2.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，所述在所述P型窗口层背离所述P型限制层的一侧设置P电极，包括：

对所述外延层进行清洗；

在所述P型窗口层背离所述P型限制层的一侧设置P面电极材料；

通过涂光刻胶、曝光和显影工艺形成电极掩膜图形；

采用湿法腐蚀的方式蚀刻出所述P电极。

3.根据权利要求2所述的工艺制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的刻蚀液为KI配比液。

4.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，所述工艺制造方法还包括：

在所述设置保护层之后，进行第一次高温融合。

5.根据权利要求4所述的工艺制造方法，其特征在于，所述第一次高温融合的温度为460℃-480℃，包括端点值；

所述第一次高温融合的时间为15min-25min，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，所述依据所述厚度，确定刀高从所述P电极开始进行第一次半切割，包括：

当所述厚度为300um-320um时，所述刀高为345um-355um；

当所述厚度为320um-350um时，所述刀高为365um-375um；

当所述厚度为350um-380um时，所述刀高为395um-405um；

当所述厚度为380um-400um时，所述刀高为425um-435um。

7.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，所述P电极的厚度为3um。

8.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，所述N电极的厚度为150nm。

9.根据权利要求1所述的工艺制造方法，其特征在于，所述工艺制造方法还包括：

在所述衬底背离所述外延层的一侧设置N电极之后，进行第二次高温融合，以形成欧姆接触。

10.根据权利要求9所述的工艺制造方法，其特征在于，所述第二次高温融合的温度为370℃-390℃，包括端点值；

所述第二次高温融合的时间为5mim-15min，包括端点值。