[发明专利]一种焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法有效

专利信息
申请号: 201910233427.9 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110012246B 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 阙隆成;李小飞;祝威;罗昕杰;周云 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378;H04N5/3745
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 熊曦
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 平面 阵列 读出 电路 高速 窗口 功能 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法,其特征在于,所述方法包括:

在规模大小为M×N的焦平面阵列中,单个阵列像元命名为P(i,j),代表位于第i行,第j列的像元,其中,0≤i<N,0≤j<M,M、N均为偶数;

焦平面阵列中的每个像元可连接至两个列读出通道;即当j≤M/2时,像元P(i,j)可连接至第j列的列读出通道或第j+M/2列的列读出通道;当j≥M/2时,像元P(i,j)可连接至第j列的列读出通道或第j-M/2列的列读出通道;

读出电路中的通道选择电路根据读出电路工作模式,通过控制像元P(i,j)连接至第j列的列读出通道或第j+M/2列的列读出通道或第j-M/2列的列读出通道,焦平面阵列读出电路具备窗口子阵列读出模式,即窗口模式,具体为:

在焦平面阵列中取窗口的大小为(M/2)×n,其中2≤n≤N;在窗口中,第一行与第二行像元为一组,第三行与第四行像元为一组,以此类推;当j≤M/2时,通道读出电路控制每一组中的第一行中的像元P(i,j)在需要积分时连接至第j列的列读出通道,第二行中的像元P(i+1,j)在需要积分时连接至第j+M/2列的列读出通道;或通道读出电路控制每一组中的第一行中的像元P(i,j)在需要积分时连接至第j+M/2列的列读出通道,第二行中的像元P(i+1,j)在需要积分时连接至第j列的列读出通道;当j≥M/2时,通道读出电路控制每一组中的第一行中的像元P(i,j)在需要积分时连接至第j列的列读出通道,第二行中的像元P(i+1,j)在需要积分时连接至第j-M/2列的列读出通道;或通道读出电路控制每一组中的第一行中的像元P(i,j)在需要积分时连接至第j-M/2列的列读出通道,第二行中的像元P(i+1,j)在需要积分时连接至第j列的列读出通道。

2.根据权利要求1所述的焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法,其特征在于,P(i,j)通过两个NMOS开关管分别连接至第j列和第j+M/2列的列读出通道,两个NMOS开关管的导通与断开由通道选择电路M_sel模块来控制。

3.根据权利要求2所述的焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法,其特征在于,所述读出电路中设有NMOS开关管:NMOS1、NMOS2、NMOS3、NMOS4;NMOS1、NMOS2、NMOS3、NMOS4的栅极均与通道选择电路M_sel模块连接,NMOS1、NMOS2的漏极均与像元P(i,j)连接,NMOS1的源极与第j列的列读出通道连接,NMOS2的源极与第j+M/2列的列读出通道连接;NMOS3、NMOS4的漏极均与像元P(i+1,j)连接,NMOS3的源极与第j列的列读出通道连接,NMOS4的源极与第j+M/2列的列读出通道连接。

4.根据权利要求3所述的焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法,其特征在于,当读出电路处于正常模式时,NMOS2保持断开,NMOS1由行选信号来控制导通或断开;当读出电路处于窗口模式时,像元P(i,j)和P(i+1,j)位于窗口内,则M_sel模块通过控制NMOS1、NMOS2、NMOS3和NMOS4,使P(i,j)和P(i+1,j)连接至第j列和第j+M/2列两个不同的列读出通道。

5.根据权利要求3所述的焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法,其特征在于,焦平面阵列读出电路具备全阵列读出模式,即正常模式,具体为:

当读出电路处于正常模式时,通道选择电路使像元P(i,j)连接至第j+M/2列的列读出通道的MOS开关管保持断开,连接至第j列的列读出通道的MOS开关管根据像元是否需要进行积分而导通或断开;

或者,当读出电路处于正常模式时,通道选择电路使像元P(i,j)连接至第j列的列读出通道的MOS开关管保持断开,连接至第j+M/2列的列读出通道的MOS开关管根据像元是否需要进行积分而导通或断开。

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