[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的多层半导体层，所述多层半导体层中形成有二维电子气；

位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层包括第一钝化层以及位于所述第一钝化层远离所述多层半导体层一侧的至少一层其他钝化层；所述第一钝化层与所述多层半导体层产生第一应变相互作用，所述第一钝化层中形成第一切应力；所述其他钝化层与所述第一钝化层产生第二应变相互作用，所述第一钝化层中形成第三切应力；其中，所述第一切应力与所述第三切应力方向相反；

位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧的多个电极，所述多个电极贯穿所述钝化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一切应力与所述第三切应力大小相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述其他钝化层包括第二钝化层；

所述第二钝化层与所述第一钝化层产生第二应变相互作用。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述其他钝化层包括依次位于所述第一钝化层远离所述多层半导体层一侧的第三钝化层、第四钝化层和第五钝化层；

所述第三钝化层与所述第一钝化层产生第二应变相互作用，所述第一钝化层中形成第三切应力，所述第三钝化层中产生第五切应力；

所述第四钝化层与所述第三钝化层产生第三应变相互作用，所述第三钝化层中形成第六切应力，所述第四钝化层中产生第七切应力；其中，所述第五切应力与所述第六切应力方向相反；

所述第五钝化层与所述第四钝化层产生第四应变相互作用，所述第四钝化层中形成第八切应力，所述第五钝化层中产生第九切应力；其中，所述第七切应力与所述第八切应力方向相反。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第五切应力与所述第六切应力大小相同；

所述述第七切应力与所述第八切应力大小相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层包括氮化物钝化层。

7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底一侧制备多层半导体层，所述多层半导体层中形成有二维电子气；

在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备钝化层，所述钝化层包括靠近所述多层半导体层一侧的第一钝化层以及位于所述第一钝化层远离所述多层半导体层一侧的至少一层其他钝化层；所述第一钝化层与所述多层半导体层产生第一应变相互作用，所述第一钝化层中形成第一切应力；所述其他钝化层与所述第一钝化层产生第二应变相互作用，所述第一钝化层中形成第三切应力；其中，所述第一切应力与所述第三切应力方向相反；

在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备多个电极，所述多个电极贯穿所述钝化层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备钝化层，包括：

在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备第一钝化层；

在所述第一钝化层远离所述多层半导体层的一侧制备第二钝化层，所述第二钝化层与所述第一钝化层产生第二应变相互作用。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备第一钝化层，包括：

在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧，采用第一频率等离子体增强化学气相沉积的方式制备第一钝化层；

在所述第一钝化层远离所述多层半导体层的一侧制备第二钝化层，包括：

在所述第一钝化层远离所述多层半导体层的一侧，采用第二频率等离子体增强化学气相沉积的方式制备第二钝化层，所述第二频率小于所述第一频率。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备钝化层，包括：

在所述多层半导体层远离所述衬底的一侧制备第一钝化层；

在所述第一钝化层远离所述多层半导体层的一侧制备第三钝化层，所述第三钝化层与所述第一钝化层产生第二应变相互作用，所述第一钝化层中形成第三切应力，所述第三钝化层中产生第五切应力；

在所述第三钝化层远离所述第一钝化层的一侧制备第四钝化层，所述第四钝化层与所述第三钝化层产生第三应变相互作用，所述第三钝化层中形成第六切应力，所述第四钝化层中产生第七切应力；其中，所述第五切应力与所述第六切应力方向相反；

在所述第四钝化层远离所述第一钝化层的一侧制备第五钝化层，所述第五钝化层与所述第四钝化层产生第四应变相互作用，所述第四钝化层中形成第八切应力，所述第五钝化层中产生第九切应力；其中，所述第七切应力与所述第八切应力方向相反。