[发明专利]用于旁路低噪声放大器的系统和方法

权利要求书

1.一种射频(RF)放大器电路，包括：

可切换电容电路，具有被配置为耦合至输入匹配电感器的第一端子，所述可切换电容电路被配置为：

在第一状态下，在所述第一端子和第二端子之间提供短路，并且

在第二状态下，在所述第一端子和所述第二端子之间提供第一电容阻抗；

低噪声放大器(LNA)，具有耦合至所述可切换电容电路的所述第二端子的输入端子；以及

旁路开关，具有耦合至所述LNA的输出的第一输入端子、耦合至所述可切换电容电路的所述第二端子的第二输入端子以及耦合至所述RF放大器电路的输出的输出端子，所述旁路开关被配置为在所述第一状态下选择所述LNA的输出，并且在所述第二状态下选择所述可切换电容电路的所述第二端子。

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述可切换电容电路包括与开关并联耦合的电容器。

3.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述可切换电容电路包括被配置为在所述第一状态下导通且在所述第二状态下断开的晶体管，其中所述晶体管的寄生电容在所述第二状态下提供所述第一电容阻抗。

4.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述旁路开关包括：

第一开关，耦合在所述LNA的输出和所述RF放大器电路的输出之间；

第二开关，耦合在所述可切换电容电路的所述第二端子和所述RF放大器电路的输出之间；以及

T开关，耦合在所述可切换电容电路的所述第二端子和所述第二开关之间。

5.根据权利要求4所述的RF放大器，还包括：耦合在所述T开关和所述第二开关之间的匹配网络。

6.根据权利要求1所述的RF放大器，还包括所述匹配电感器。

7.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述可切换电容电路、所述LNA和所述旁路开关被设置在单个半导体衬底上。

8.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述第一电容阻抗被配置为在所述第二状态下提供RF匹配。

9.根据权利要求1所述的RF放大器，其中所述LNA被配置为在所述第二状态下断开。

10.一种射频(RF)系统，包括：

集成电路，包括：

低噪声放大器(LNA)；

第一晶体管，具有耦合在所述LNA的输入和所述集成电路的输入焊盘之间的负载路径，所述负载路径在所述集成电路处于第一状态时具有低阻抗而在所述集成电路处于第二状态时具有第一电容阻抗，其中所述第一电容阻抗被配置为在所述集成电路处于所述第二状态时提供RF匹配；

第一开关，耦合在所述LNA的输出和所述集成电路的输出焊盘之间，所述第一开关被配置为在所述集成电路处于所述第一状态时接通且在所述集成电路处于所述第二状态时断开；

第二开关，耦合在所述LNA的输入和所述集成电路的输出焊盘之间，所述第二开关被配置为在所述集成电路处于所述第一状态时断开且在所述集成电路处于所述第二状态时接通。

11.根据权利要求10所述的RF系统，还包括：匹配电感器，所述匹配电感器具有耦合至所述集成电路的所述输入焊盘的第一端子。

12.根据权利要求10所述的RF系统，其中所述集成电路进一步包括：耦合在所述第二开关和所述LNA的输出焊盘之间的第三开关。

13.根据权利要求12所述的RF系统，其中所述集成电路进一步包括：耦合在所述第二开关和所述第三开关之间的匹配网络。

14.根据权利要求12所述的RF系统，其中所述第二开关包括T开关。