[发明专利]一种钨铼合金及其应用有效
| 申请号： | 201910233626.X | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111748845B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 武红磊;金雷;陈文浩;郑瑞生 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00;C30B29/52;C22C27/04 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlN晶体的制备方法，包括如下步骤：
采用物理气相传输法在钨铼合金籽晶托上沉积AlN晶体；其中，所述钨铼合金籽晶托由钨铼合金制成，所述钨铼合金为钨铼多晶，且所述钨铼多晶的晶畴尺寸小于50μm，其中，所述钨铼合金所含的铼占15％－35％；
若控制所述AlN晶体的生长温度为1900－2100℃时，所述钨铼合金籽晶托中铼占15％－25％；
若控制所述AlN晶体的生长温度为2100－2300℃时，所述钨铼合金籽晶托中铼占25％－35％；
若待所述AlN晶体生长完成后，控制降温速率小于30℃/h时，所述钨铼合金籽晶托中铼占20％－30％；
若待所述AlN晶体生长完成后，控制降温速率大于30℃/h时，所述钨铼合金籽晶托中铼占24％－26％。
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