[发明专利]有机发光显示面板及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910234364.9 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN109817694B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 唐国强;徐映嵩;王杨;马国强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种制作有机发光显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底上具有被像素界定层界定出的多个子像素区,并在所述衬底具有所述像素界定层的一侧形成填充在所述子像素区内部的发光层,以及阴极层,所述阴极层覆盖所述发光层以及所述像素界定层;
在所述阴极层远离所述衬底的一侧形成感光活性层,所述感光活性层的亲疏水性可在光照条件下发生改变;
对所述感光活性层进行亲水光照处理,并通过第一构图工艺,在所述感光活性层中形成阵列排布的多个开口,多个所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层区域内;
对所述感光活性层中除去预定区域之外的区域进行疏水光照处理,所述预定区域在所述衬底上的正投影覆盖所述开口在所述衬底上的正投影,且位于所述像素界定层区域内;
在所述感光活性层远离所述阴极层的一侧沉积金属,所述金属形成在所述感光活性层经过所述亲水光照处理处,以形成辅助阴极,所述辅助阴极和所述阴极层通过所述开口相连;
其中,所述预定区域在所述衬底上的正投影的宽度不大于26μm。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一构图工艺包括:
在所述感光活性层远离所述阴极层的一侧形成具有掩膜开口的第一掩膜,所述掩膜开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层区域内;
基于所述第一掩膜对所述感光活性层进行刻蚀处理,以便形成多个贯穿所述感光活性层的所述开口;
去除所述第一掩膜。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述感光活性层中除去预定区域之外的区域进行疏水光照处理包括:
在所述感光活性层中的所述预定区域形成第二掩膜;
对所述感光活性层进行所述疏水光照处理;
去除所述第二掩膜。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述感光活性层是由透明材料形成的,且所述透明材料在紫外光照射下具有亲水性,在可见光照射下具有疏水性。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述感光活性层的材料包括具有式Ⅰ结构的化合物:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述感光活性层是由不透明材料形成的,形成所述辅助阴极之后,所述方法进一步包括:
去除和所述子像素区对应的所述感光活性层。
7.一种有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板是通过权利要求1-6任一项所述的方法制备的。
8.一种有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板是通过权利要求1-6任一项所述的方法制备的,所述有机发光显示面板包括:
衬底,所述衬底上具有被像素界定层界定出的多个子像素区,所述衬底具有所述像素界定层的一侧设置有填充在所述子像素区内部的发光层,以及阴极层,所述阴极层覆盖所述发光层以及所述像素界定层;
辅助阴极界定结构,所述辅助阴极界定结构设置在所述阴极层远离所述衬底的一侧,所述辅助阴极界定结构是由感光活性材料形成的,所述辅助阴极界定结构具有阵列排布的多个开口,多个所述开口在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层区域内;
辅助阴极,所述辅助阴极设置在所述辅助阴极界定结构远离所述阴极层的一侧,所述辅助阴极在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层区域内,且所述辅助阴极和所述阴极层通过所述开口相连。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述辅助阴极界定结构是由透明的感光活性材料形成的,所述辅助阴极界定结构覆盖所述阴极层,且在所述像素界定层对应的位置具有所述开口。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述辅助阴极界定结构是由不透明的感光活性材料形成的,所述辅助阴极界定结构在所述衬底上的正投影位于所述像素界定层区域内。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求8-10任一项所述的有机发光显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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