[发明专利]液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法在审
申请号: | 201910234386.5 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN110320718A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 武藤祐太;谷池康司郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1337 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示装置 上端 接触孔 薄膜晶体管基板 有机绝缘膜 第二侧壁 第三侧壁 第一侧壁 漏极电极 像素电极 最大距离 侧壁部 取向膜 膜厚 配置 平行 制造 | ||
本发明提供接触孔的大小被抑制得小、且抑制了取向膜的膜厚不均的液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置是具备薄膜晶体管基板的液晶显示装置,上述薄膜晶体管基板具备:配置在漏极电极上并设置有接触孔的有机绝缘膜、和配置在上述有机绝缘膜上的像素电极,上述接触孔沿周向依次具有第一、第二、第三及第四侧壁部,上述第二侧壁部的上部的倾斜比上述第一及第三侧壁部各自的上部的倾斜平缓,若将特定的直线(第一直线)上的从上述第一侧壁部的上端至上述第三侧壁部的上端的距离设为L,将与上述第一直线平行的第三直线上的上述第二侧壁部的一个上端和另一个上端之间的最大距离设为W2,则上述接触孔满足W2>L。
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。特别是,涉及具有设置有接触孔的有机绝缘膜的液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。
背景技术
液晶显示装置具有具备薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)的薄膜晶体管基板、和与具备彩色滤光片的彩色滤光片基板之间配置有液晶层的结构。在上述薄膜晶体管基板配置有像素电极,为了将构成TFT的漏极电极与像素电极电连接,在像素电极与漏极电极之间配置的绝缘膜设置有接触孔。另外,在薄膜晶体管基板与液晶层之间、及彩色滤光片基板与液晶层之间分别设置有取向膜,控制液晶层中的液晶分子的取向。
作为在设置有接触孔的基板上形成取向膜的技术,例如在专利文献1中公开了一种方法,作为解决由于被从喷墨喷嘴滴下的取向膜材料流向形成在基板上的接触孔内的现象而产生未适当地形成取向膜的区域,从而产生显示不均这一问题的方法,使基板相对于设置有基板喷墨喷嘴的头部在数据线延伸的列方向上移动。在上述专利文献1中,通过规定喷墨装置的涂布方向来改善显示不均。
另外,在专利文献2~4中,公开了一种方法,在用于将像素电极与源极电极连接的通孔(接触孔)的直径较小的情况下,针对取向膜材料不易流向通孔内的现象采取措施。在上述专利文献2中公开了一种液晶显示装置,将像素电极与TFT的源极电极连接的通孔具有作为液晶侧的大孔、作为TFT基板侧的小孔、及连接大孔与小孔的内壁,像素电极在通孔的像素的内侧方向覆盖通孔,在通孔的外侧方向不覆盖通孔的大孔周边。在上述专利文献3中公开了一种液晶显示装置,接近于通孔的上底的一侧的锥角小于接近于下底的一侧的锥角。在上述专利文献4中公开了一种液晶显示装置,通孔的深度D的1/2的深度下的锥角为50度以上,像素电极覆盖通孔的侧壁的一部分,通孔的侧壁的另一部分未被像素电极覆盖。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-87652号公报
专利文献2:日本特开2015-99201号公报
专利文献3:日本特开2015-87600号公报
专利文献4:日本特开2015-114374号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在液晶显示装置所具备的薄膜晶体管基板及彩色滤光片基板复杂地设置有各种部件,在其表面存在凹凸。因此,为了形成取向膜而将取向膜材料涂布于上述基板时,存在难以遍及基板整个面地均匀地涂布取向膜材料的情况。例如在某一部分中,取向膜材料流向凹部,而在其他部分中未流向凹部,导致取向膜材料形成存液,有时在取向膜产生膜厚不均(涂布不均)。特别是,有时取向膜材料向接触孔的流入不稳定,对取向膜的膜厚不均带来较大的影响。
作为取向膜材料的涂布方式大体有两种方式,第一种是使用柔性版的辊涂方式,第二种是利用喷嘴喷射的喷墨方式。喷墨方式与辊涂方式相比具有涂布取向膜材料的位置精度高、墨的消耗量少的优点,是适于高清晰度/窄边框化的涂布方式。然而,喷墨方式与辊涂方式相比易发生涂布不均。
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