[发明专利]一种单晶钛酸锶薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶钛酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将矿化剂NaOH加入反应釜内胆中，加入去离子水搅拌，获得摩尔浓度为4mol/L的NaOH溶液；

2)将Sr(NO₃)₂、TBOT依次加入步骤1)所得溶液中，调节锶钛摩尔比Sr/Ti＝1，混合搅拌10-20min，获得的溶液中TBOT的摩尔浓度为0.003mol/L-0.04mol/L；

3)将PMNT基片垂直置于水热反应架中，分别用丙酮、乙醇、水、乙醇各清洗至少10min后，60℃干燥2h；

4)将步骤3)配制的含反应物溶液和PMNT基片的反应釜内胆装入配套反应釜中，密封，在100-200℃下反应2h-24h，然后让反应釜自然冷却至室温，卸釜后，用去离子水和无水乙醇反复洗涤反应产物，过滤，烘干，获得极化PMNT单晶基底上的SrTiO₃单晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的单晶钛酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的反应釜为聚四氟乙烯内胆，不锈钢套件密闭的反应釜。

3.根据权利要求1所述的单晶钛酸锶薄膜的制备方法，其特征是所述的硝酸锶、钛酸四正丁酯和氢氧化钠的纯度都不低于化学纯。

4.根据权利要求1所述的单晶钛酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤3)中的PMNT基片为极化处理的，四方相单晶的抛光基片，其极化强度为40μC/cm²。

5.根据权利要求1所述的单晶钛酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤3)中的水热反应架为聚四氟乙烯材料制成的支架。

6.一种单晶钛酸锶薄膜，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的方法制备得到，其中SrTiO₃薄膜选择性地生长于PMNT基片的正极化面，SrTiO₃层的厚度为5-12nm。