[发明专利]其晶体管都是双极结型晶体管的功率侦测器有效
申请号: | 201910235943.5 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN111585523B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 简惠庆 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/14 | 分类号: | H03F3/14;H03F3/68 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 刘民选 |
地址: | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 都是 双极结型 功率 侦测 | ||
1.一种功率侦测器,其特征在于,包含:
一信号输入端,用以接收一输入信号;
N个限制放大器,用以根据具有不同衰减量的N个衰减信号,产生N个放大信号,N为大于1的整数,其中该N个衰减信号与该输入信号有关,而每一个限制放大器包含:
一第一输入端,用以接收该N个衰减信号中的一衰减信号;以及
一第一输出端,用以输出一放大信号;
N个整流器,耦接该N个限制放大器,其中每一个整流器包含:
一第一输入端,用以接收该N个限制放大器中一对应的限制放大器的该第一输出端所输出的该放大信号;以及
一输出端,用以输出一整流信号;以及
一信号输出端,用以输出一侦测信号;其中,
一反相放大器,耦接该N个整流器,用以根据该N个整流器所输出的N个整流信号的和,
进行放大与反相处理以输出一侦测信号,该反相放大器包含:
一输入端,耦接该N个整流器的输出端;以及
一输出端,耦接于该功率侦测器的信号输出端,用以输出该侦测信号;
其中,该侦测信号与该N个整流器所输出的N个整流信号的和有关,且该功率侦测器的所有晶体管都是双极结型晶体管。
2.如权利要求1所述的功率侦测器,其特征在于,另包含一衰减电路,而该衰减电路包含:一输入端,耦接该信号输入端;以及
N个输出端,用以分别输出该N个不同衰减量的衰减信号至该N个限制放大器的第一输入端。
3.如权利要求2所述的功率侦测器,其特征在于,另包含:
一第N+1个限制放大器,耦接该信号输入端,包含:
一第一输入端,用以接收另一衰减信号;以及
一第一输出端,用以输出另一放大信号;以及
一第N+1个整流器,耦接该第N+1个限制放大器,包含:
一第一输入端,用以接收该另一放大信号;以及
一输出端,用以输出另一整流信号;
其中,该反相放大器另耦接该第N+1个整流器,用以根据该N+1个整流器所输出的N+1个整流信号的和,进行放大与反相处理以输出该侦测信号。
4.如权利要求3所述的功率侦测器,其特征在于,其中所述N+1个限制放大器中的每一限制放大器包含:
一第一晶体管,其控制端耦接于该每一限制放大器的第一输入端;
一第二晶体管,其控制端耦接于该每一限制放大器(30)的一第二输入端;
一第一电阻,其第一端耦接至一系统电压,其第二端耦接至该限制放大器的第一输出端;
一第二电阻,其第一端耦接至该系统电压,其第二端耦接至该限制放大器的第二输出端;一第三晶体管,其第一端耦接至该限制放大器的该第一输出端,其第二端耦接至该第一晶体管的一第一端,其控制端耦接至一第一限制放大器偏压;
一第四晶体管,其第一端耦接至该限制放大器的该第二输出端,其第二端耦接至该第二晶体管的一第一端,其控制端耦接至该第一限制放大器偏压;以及
一第五晶体管,其第一端耦接至该第一晶体管的一第二端及该第二晶体管的一第二端,
其第二端耦接于一参考电压,其控制端耦接于一第二限制放大器偏压。
5.如权利要求4所述的功率侦测器,其特征在于,另包含一限制放大器偏压电路,其中该限制放大器偏压电路包含:
一第六晶体管,其第一端耦接于一电流源,其第二端耦接于一参考电压;
一第七晶体管,其第一端耦接于一系统电压,其控制端耦接于该电流源;
一第一电阻,其第一端耦接于该第六晶体管的控制端,其第二端耦接于该第七晶体管的第二端并用以输出该第二限制放大器偏压;
一第一电容,其第一端耦接于该第一电阻的该第二端,其第二端耦接于该参考电压;
一第二电阻,其第一端耦接于该系统电压,其第二端用以输出该第一限制放大器偏压;以及
一第三电阻,其第一端耦接于该第二电阻的该第二端。
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