[发明专利]带载体的极薄铜箔及其制造方法

说明书

本发明提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔及其制造方法。本发明的带载体的极薄铜箔依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。

本申请是申请日为2016年1月20日、申请号为201680003775.1、发明名称为带载体的极薄铜箔及其制造方法的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及带载体的极薄铜箔及其制造方法。

背景技术

近年来，作为适合于电路微细化的印刷电路板的制造方法，广泛采用MSAP(改良型半加成工艺)法。MSAP法是极其适合形成微细电路的方法，为了活用其特征，使用带载体箔的极薄铜箔来进行。例如，如图1和图2所示那样，使用底漆层12对极薄铜箔10进行按压使其与在基底基材11a上具备预浸料11b的绝缘树脂基板11(根据需要可内含下层电路11c)密合(步骤(a))，剥掉载体箔(未图示)后，根据需要通过激光穿孔形成通路孔13(步骤(b))。接着，实施化学镀铜14(步骤(c))后，通过使用了干膜15的曝光和显影，用特定的图案进行掩蔽(步骤(d))，实施电镀铜16(步骤(e))。去除干膜15而形成配线部分16a(步骤(f))后，将相邻的配线部分16a,16a间的无用极薄铜箔等在它们的整体厚度上通过蚀刻来去除(步骤(g))，得到通过特定图案形成的配线17。

尤其是，近年来随着电子电路的小型轻量化，寻求电路形成性更优异(例如能够形成线/空间＝15μm以下/15μm以下的微细电路)的MSAP法用铜箔。例如，专利文献1(国际公开第2012/046804号)公开了用JIS-B-06012-1994规定的表面基底山的凹凸平均间隔Sm为25μm以上的载体箔上依次层叠剥离层、铜箔，并将铜箔从载体箔上剥离而得到的铜箔，据称通过使用该铜箔，能够无损配线的直线性地蚀刻直到线/空间为15μm以下的极细范围。

此外，近年来的覆铜层叠板的通路孔加工常用将激光直接照射至极薄铜箔而形成通路孔的直接激光开孔加工(例如参照专利文献2(日本特开平11-346060号公报))。该方法中，一般来说，对极薄铜箔的表面实施黑化处理后，对该实施了黑化处理的表面照射二氧化碳激光，进行极薄铜箔及其正下方的绝缘层的开孔。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/046804号

专利文献2：日本特开平11-346060号公报

发明内容

然而，黑化处理除了需要时间和成本之外，成品率也会降低，因此，若能够适合地对极薄铜箔表面直接进行激光开孔加工而不进行黑化处理，则是优选的情况。然而已知：对专利文献1所述的带载体的极薄铜箔的表面直接进行激光开孔加工时，利用通常的照射条件难以实现期望的孔，无法兼顾微细电路形成性和激光加工性。

本发明人等本次获得如下见解：对于带载体的极薄铜箔而言，通过赋予极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下、且极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下的表面轮廓，从而在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中，能够兼顾微细电路形成性和激光加工性。

因此，本发明的目的在于，提供在覆铜层叠板的加工～印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性和激光加工性的带载体的极薄铜箔。

根据本发明的一个方式，提供一种带载体的极薄铜箔，其依次具备载体箔、剥离层和极薄铜箔，

前述极薄铜箔的剥离层一侧的表面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为20μm以下，且前述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的表面的波纹度的最大高低差(Wmax)为1.0μm以下。