[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有初始栅极结构，所述初始栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，所述层间介质层露出所述初始栅极结构的顶部，所述基底包括纵横交叉的第一隔离区和第二隔离区、以及由所述第一隔离区和第二隔离区围成的器件单元区，所述初始栅极结构的延伸方向与所述第一隔离区的延伸方向相同；

刻蚀去除所述第二隔离区的初始栅极结构，在所述层间介质层内形成露出所述基底的通孔，剩余初始栅极结构作为栅极结构；

形成所述通孔后，在所述层间介质层和栅极结构上形成覆盖层，所述覆盖层密封所述通孔形成空气隙；

依次刻蚀所述第一隔离区的覆盖层、栅极结构以及部分厚度的基底，形成位于所述层间介质层和基底内的通槽；

形成所述通槽后，去除剩余所述覆盖层；

去除剩余所述覆盖层后，在所述通槽和通孔中形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体干法刻蚀工艺形成聚合物层，用于作为所述覆盖层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体干法刻蚀工艺的反应气体包括碳氟基气体。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碳氟基气体包括CF4、C3F8、C4F8、C4F6、C5F8、CH2F2和C5F10中的一种或多种。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体干法刻蚀工艺的参数包括：所述碳氟基气体的气体流量为10sccm至200sccm，射频功率为100W至1200W。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤中，位于所述栅极结构上的覆盖层厚度为至

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔的步骤中，所述通孔的深宽比为10至18。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤中，所述通孔顶部至所述空气隙顶部的距离至多为

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用灰化或湿法刻蚀工艺，去除剩余所述覆盖层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通槽的步骤包括：在所述覆盖层上形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成掩膜层，所述掩膜层露出所述第一隔离区的平坦化层；

以所述掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述平坦化层、覆盖层、栅极结构和部分厚度的基底。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底、以及凸出于所述器件单元区和第一隔离区衬底的鳍部；

形成所述通槽的步骤中，所述通槽底面与所述衬底顶面齐平，或者低于所述衬底顶面。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括纵横交叉的第一隔离区和第二隔离区、以及由所述第一隔离区和第二隔离区围成的器件单元区；

栅极结构，位于所述器件单元区和第一隔离区的基底上，所述栅极结构的延伸方向与所述第一隔离区的延伸方向相同；

层间介质层，位于所述栅极结构露出的基底上，所述层间介质层露出所述栅极结构的顶部；

通孔，位于所述层间介质层内，所述通孔由所述栅极结构、层间介质层和第二隔离区的基底围成；

覆盖层，位于所述层间介质层和栅极结构上，所述覆盖层密封所述通孔，所述层间介质层、栅极结构和覆盖层围成空气隙。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述覆盖层的材料为聚合物。