[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201910236627.X | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN109920833B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 于勇;岳阳;卢江楠;舒适;徐传祥;黄海涛;李翔;黄敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,用以提高阵列基板的亮度。本申请实施例提供的一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板以及在所述衬底基板之上出光颜色不同的多种子像素;各所述子像素均包括绿光电致发光器件;各所述子像素中除绿色子像素之外的其他颜色子像素还包括:位于所述绿光电致发光器件出光侧的色转换层。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
目前有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示产品由于具有高分辨率、高色域、低功耗等有点,在显示产品中份额越来越高。目前,OLED显示产品广泛应用于增强现实(Augmented Reality,AR)产品中,而AR产品由于使用环境的原因,对亮度要求较高,由于产品设计和光路设计的原因,亮度问题一直是AR产品一个较大制约因素。现有技术应用于AR产品的OLED结构主要采用单色OLED器件,具体包括如下设置方式:白光OLED(WOLED)结合彩膜(Color film,CF)的结构,或者WOLED结合荧光以及CF的结构,或者蓝光OLED结合荧光以及CF的结构。WOLED结合荧光以及CF的结构相比于WOLED结合CF的结构可以提高亮度,但由于红色荧光粉吸收光谱主要在绿色波段和蓝色波段,而绿色荧光粉主要吸收蓝色波段光,因此WOLED结合荧光以及CF的结构,荧光对背光的利用率并不高,导致最终产品亮度提高有限。对于蓝光OLED结合荧光以及CF的结构,蓝色在色光三原色的亮度最低,显示产品亮度仍不理想,并且蓝光OLED的寿命和稳定性较差,影响蓝光OLED器件的应用。
综上,现有技术单色OLED显示产品亮度较低,显示效果不佳。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,用以提高阵列基板的亮度。
本申请实施例提供的一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板以及在所述衬底基板之上出光颜色不同的多种子像素;各所述子像素均包括绿光电致发光器件;各所述子像素中除绿色子像素之外的其他颜色子像素还包括:位于所述绿光电致发光器件出光侧的色转换层。
每个子像素均包括绿光电致发光器件,除了绿色子像素之外的子像素通过色转换层将绿光转换为相应颜色的光,由于在色光三原色中绿色的亮度最高,并且,绿色子像素无需经过色转换层,绿色像素区亮度损耗非常低,因此采用绿光电致发光器件可以提高阵列基板的亮度,提升显示效果,提升用户体验。
可选地,所述子像素包括红色子像素;所述红色子像素中的所述色转换层包括将绿光转换为红光的上转换发光材料。
本申请实施例提供的阵列基板,红色子像素中的色转换层可以完全吸收绿色电致发光器件发出的光而转换成红光,光利用率高,从而可以进一步提高阵列基板的亮度。
可选地,所述将绿光转换为红光的上转换发光材料包括下列之一或其组合:异硫氰酸荧光素、5-羧基荧光素、青色素染料。
可选地,所述子像素包括蓝色子像素;所述蓝色子像素中的所述色转换层包括:将绿光转换为近红外光的下转换发光材料,以及位于所述下转换发光材料出光侧的将近红外光转换为蓝光的上转换发光材料。
本申请实施例提供的阵列基板,利用下转换发光材料先将绿光转换为近红外光,再利用上转换发光材料将近红外光转换为蓝光,将绿光转换为近红外光以及将近红外光转换为蓝光的光利用率均很高,而将绿光直接激发蓝光的上转换效率低且寿命短,因此,本申请实施例提供的阵列基板蓝色子像素中色转换层的设置方式可以在保证光转换效率及寿命的同时实现将绿光转换成蓝光,进一步提高阵列基板的亮度。
可选地,所述将绿光转换为近红外光的下转换发光材料包括:氟硼类荧光染料。
可选地,所述将近红外光转换为蓝光的上转换发光材料包括:稀土掺杂类荧光染料。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的