[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括形成有沟槽的衬底、位于所述沟槽之间衬底上的隧穿氧化层、以及位于所述隧穿氧化层上的浮栅材料层；

在所述沟槽的底部和侧壁、以及所述浮栅材料层的侧壁上形成粘合层；

形成所述粘合层后，在所述沟槽中形成隔离层，所述隔离层覆盖所述浮栅材料层的部分侧壁，且所述隔离层暴露出位于所述浮栅材料层剩余侧壁上的粘合层，所述隔离层顶面的高度决定了有效场氧化物高度；

在所述隔离层顶部形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层还覆盖所述浮栅材料层的部分侧壁；

去除高于所述刻蚀阻挡层的粘合层；

去除所述刻蚀阻挡层所露出的粘合层后，形成保形覆盖所述浮栅材料层以及所述刻蚀阻挡层的栅介质材料层；

去除高于所述刻蚀阻挡层的粘合层后，形成所述栅介质材料层之前，还包括：沿垂直于所述浮栅材料层的延伸方向，横向刻蚀露出于所述刻蚀阻挡层的浮栅材料层侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的步骤包括：形成保形覆盖所述隔离层、以及所述隔离层所露出的浮栅材料层的刻蚀阻挡材料层；

在所述浮栅材料层之间的刻蚀阻挡材料层上形成保护层，所述保护层至少露出位于所述浮栅材料层顶部的刻蚀阻挡材料层；

以所述保护层为掩膜，刻蚀位于所述浮栅材料层顶部和部分侧壁上的所述刻蚀阻挡材料层，保留剩余刻蚀阻挡材料层作为所述刻蚀阻挡层；

形成所述刻蚀阻挡层后，还包括：去除所述保护层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：在所述浮栅材料层之间的刻蚀阻挡材料层上形成保护材料层，所述保护材料层覆盖所述浮栅材料层顶部；去除部分厚度的所述保护材料层，保留剩余所述保护材料层作为所述保护层，所述保护层顶部低于所述浮栅材料层顶部且覆盖所述浮栅材料层的部分侧壁；

刻蚀所述刻蚀阻挡材料层的步骤中，刻蚀部分厚度的所述保护层，且所述保护层的被刻蚀速率小于所述刻蚀阻挡材料层的被刻蚀速率。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为BARC材料、ODL材料、光刻胶、DARC材料或DUO材料。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分厚度的所述保护材料层。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层顶部至所述浮栅材料层顶部的距离为至

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀位于所述浮栅材料层顶部和部分侧壁上的所述刻蚀阻挡材料层。

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用低压炉管工艺或高温炉管工艺形成所述刻蚀阻挡材料层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的步骤中，所述刻蚀阻挡层的材料为LPTEOS或HTO。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层的步骤中，所述刻蚀阻挡层的厚度为至

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用稀释的氢氟酸溶液去除所述刻蚀阻挡层所露出的粘合层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀露出于所述刻蚀阻挡层的浮栅材料层侧壁。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用SC1溶液进行所述湿法刻蚀工艺。