[发明专利]一种显示基板及其制备方法和显示装置在审
申请号: | 201910236760.5 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN109920804A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 顾仁权;姚琪;柳在一;刘英伟;梁志伟;狄沐昕;黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底结构 显示基板 外围电路 显示结构 驱动电路 显示装置 制备 无缝拼接显示 正投影区域 结构显示 驱动显示 无边框 背离 驱动 | ||
1.一种显示基板,包括:基底结构和设置在所述基底结构上方的显示结构,所述显示基板还包括用于驱动所述显示结构显示的驱动电路,所述驱动电路包括TFT电路和外围电路,所述TFT电路设置于所述基底结构与所述显示结构之间,所述外围电路用于驱动所述TFT电路,其特征在于,所述外围电路设置于所述基底结构的背离所述显示结构的一侧,且所述外围电路位于所述显示结构在所述基底结构上的正投影区域内,所述外围电路通过开设在所述基底结构中的过孔连接所述TFT电路。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示结构包括多个液晶像素单元。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示结构包括多个自发光单元。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述自发光单元包括LED元件或OLED元件。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示结构包括透光区域和不透光区域,所述外围电路位于所述显示结构的不透光区域。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述基底结构包括绝缘层和缓冲层,所述绝缘层和所述缓冲层相互叠置,所述TFT电路设置于所述缓冲层背离所述绝缘层的一侧,所述外围电路设置于所述绝缘层背离所述缓冲层的一侧。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任意一项所述的显示基板。
8.一种如权利要求1-6任意一项所述的显示基板的制备方法,包括:在基底结构上方形成TFT电路和显示结构,其特征在于,所述显示基板的制备方法还包括:在所述基底结构中形成过孔;在所述基底结构的背离所述显示结构的一侧形成外围电路,所述外围电路通过所述过孔连接所述TFT电路。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述基底结构中形成过孔包括:
采用具有过孔图案的氧化硅或氮化硅掩膜板对所述基底结构进行干刻工艺,形成所述过孔的图形;
在完成上述步骤的所述基底结构上沉积导电种子层,并将所述导电种子层图形化,保留所述过孔所在区域的所述导电种子层,去除所述过孔以外区域的所述导电种子层;
在完成上述步骤的所述基底结构上电镀导电膜层,所述导电膜层对应形成于所述过孔所在区域,并将所述过孔填满。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,先在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构;
然后在所述基底结构中形成所述过孔;
最后在所述基底结构上形成所述外围电路;
或者,
先在所述基底结构中形成所述过孔;
然后在所述基底结构上形成所述外围电路;
最后在所述基底结构上形成所述TFT电路和所述显示结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的