[发明专利]一种集成缓冲电路的驱动装置

权利要求书

1.一种集成缓冲电路的驱动装置，该驱动装置用于驱动功率模块，功率模块的信号端子在驱动装置上引出；其特征在于，所述驱动装置还集成有缓冲电路，所述缓冲电路由无源元件组成，连接在功率模块的两信号端子之间，两信号端子分别为与母线正极等电位的端子和与母线负极等电位的端子；所述缓冲电路在阻抗特性上呈现容性；所述的缓冲电路由单支路构成或者由多个单支路并联构成，单个支路由电容或电容与电阻串联或电容、电阻与保险丝串联组成；所述无源元件中的电容为陶瓷电容或薄膜电容；若电容选用陶瓷电容，考虑到陶瓷电容失效后为短路状态，单支路陶瓷电容的数量为V_dc/V_C+n,其中V_dc为母线电压，V_c为陶瓷电容的额定电压，n为所留裕量，取2～3。

2.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的驱动装置，其特征在于，所述缓冲电路的总容值C_snubber的取值范围为

其中，w为功率器件换流过程等效的角频率，L_s1为功率缓冲电容内部的杂感，L_s2为正母线和功率缓冲电容连接功率端子和驱动装置上引出与正母线等电位信号端子之间的杂感，L_s3为负母线和功率缓冲电容连接功率端子和驱动装置上引出与负母线等电位信号端子之间的杂感，L_s5为信号缓冲电容与驱动装置连接端子之间的杂感。

3.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的驱动装置，其特征在于，所述无源元件中的电阻、电容和保险丝为贴片封装。

4.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的驱动装置，其特征在于，所述功率模块中的功率器件为MOSFET、SiC MOSFET或集成二极管的IGBT。

5.根据权利要求1所述的集成缓冲电路的驱动装置，其特征在于，所述驱动装置的驱动电路包括驱动芯片、供电电源电路、推挽电路和故障保护电路，驱动芯片可采用集成式驱动芯片或由分立元器件组合构成，具有隔离功能，用于提供驱动信号；供电电源电路采用隔离DC/DC电路，由变压器提供隔离功能，为驱动电路提供驱动电压值及驱动所需的能量；推挽电路可采用集成式推挽芯片或由分立的晶体管构成，用于提高驱动能力和将开通电阻与关断电阻解耦；故障保护电路包括欠压保护、过流保护和短路保护等，用于保障功率器件的安全。