[发明专利]基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置有效
| 申请号： | 201910238449.4 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109932668B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 谭超;杨哲;龚晓辉;乐周美;王家成;李宗燎 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 吴思高 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 反向 激励 低磁滞 tmr 磁场 测量 装置 | ||
1.基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量方法，其特征在于：包括一种基于正反向激励的低磁滞TMR磁场测量装置，该装置包括TMR磁阻传感器(1)、差分转单端芯片(2)、模拟开关(3)、加法器(6)、时钟模块(7)、激励线圈(8)；
所述激励线圈(8)缠绕在TMR磁阻传感器(1)表面；所述TMR磁阻传感器(1)信号输出端连接差分转单端芯片(2)的输入端，差分转单端芯片(2)的输出端连接模拟开关(3)的引脚a，模拟开关(3)的引脚b、引脚c分别连接储能电容C1一端、储能电容C2一端，储能电容C1一端、储能电容C2一端与加法器(6)连接，模拟开关(3)的引脚d连接时钟模块(7)，时钟模块(7)通过耦合电容连接激励线圈(8)；
给磁场测量装置上电时，时钟模块(7)会产生连续的时钟信号，并经过耦合电容耦合后输入激励线圈(8)，激励线圈(8)中通入时钟信号后，在每个周期内都会产生一组连续的正反向激励脉冲；
当激励线圈(8)中产生正向激励脉冲并作用于TMR磁阻传感器(1)时，TMR磁阻传感器(1)中会输出与外部待测磁场成正比的正向电压V1，同时模拟开关(3)自动切换到引脚b端，所产生的正向电压V1会先储存到储能电容C1中；
当激励线圈(8)中产生反向激励脉冲并作用于TMR磁阻传感器(1)时，TMR磁阻传感器1中会产生正比于外部待测磁场的反向电压V2，同时模拟开关(3)自动切换到引脚c端，所产生的正向电压V2会先储存到储能电容C2中；储存于储能电容C1、储能电容C2中的正反向输出电压V1和V2，经加法器(6)处理后，得最终输出电压V0为：
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