[发明专利]用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片及制作方法

权利要求书

1.一种用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片，其特征在于：包括水平平行布置的含有微通道的微流控芯片主体(1)，还包括上基层(2)，中基层(3)，下基层(4)，上粘涂层(5)，下粘涂层(6)；所述上基层(2)、上粘涂层(5)、中基层(3)、下粘涂层(6)和下基层(4)自上而下依次与微流控芯片主体(1)水平平行布置，所述中基层(3)水平贯穿芯片主体(1)将其分为上半部和下半部，所述上基层(2)、上粘涂层(5)均位于中基层(3)上方；所述下粘涂层(6)和下基层(4)均位于中基层(3)下方；还设有注入口(7)，注出口(8)和置于中基层(3)内且水平布置的引流通道(9)；所述注入口(7)和注出口(8)均垂直贯通上基层(2)、上粘涂层(5)和中基层(3)，并且均与引流通道(9)连通；

所述注入口(7)直径和注出口(8)直径均为0.5mm；所述引流通道(9)宽度为0.3mm，长度为8mm；所述上基层(2)、中基层(3)和下基层(4)均采用厚度为0.2mm的硼酸盐玻璃，所述硼酸盐玻璃使用硅烷进行超疏水化处理制得以防止边角流的发生；

所述上粘涂层(5)和下粘涂层(6)均采用紫外光敏胶水制得；所述芯片主体(1)的材料为岩石切片，其尺寸为2mm×2mm，厚度为0.2mm；所述岩石切片为石灰岩。

2.一种制作如权利要求1所述用于地质过程化学溶蚀研究的微流控芯片的方法，其特征在于：它包括如下步骤：

首先制备含有微通道的微流控芯片主体(1)，再对载玻片的上基层(2)、中基层(3)、下基层(4)进行通道刻蚀，最后利用半固化状态下光敏胶进行基底物理键和封装，即得到所述微流控芯片；

所述微通道采用CT扫面获得岩体内部粗糙壁面裂隙，再通过激光雕刻技术将图形转移到特定岩石切片上，进一步与含有注入孔(7)和引流通道(9)的基层连接，最后键合封装得到所述微流控芯片；所述特定岩石切片为石灰岩。