[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，其特征在于，包括微波产生结构、微波传输结构、微波耦合件、等离子体产生腔和工艺腔；其中，

所述微波传输结构分别连接所述等离子体产生腔和所述微波产生结构；

所述微波耦合件穿设在所述等离子体产生腔中，其能够将所述微波产生结构产生的微波耦合至所述等离子体产生腔内，以在所述微波耦合件的表面形成表面波；所述表面波能够激发位于所述等离子体产生腔内的工艺气体形成表面波等离子体；

所述工艺腔经由连接管与所述等离子体产生腔连通。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述微波耦合件的第一端穿入所述等离子体产生腔内，所述微波耦合件的第二端穿入所述微波传输结构内。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括密封法兰，所述微波传输结构包括连接波导，所述连接波导经由所述密封法兰与所述等离子体产生腔密闭连通，并且，所述微波耦合件的第二端穿过所述密封法兰的内孔至所述连接波导内。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述微波耦合件的第二端穿入所述连接波导内的轴向长度范围为0mm~20mm。

5.在根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述微波耦合件呈柱状结构。

6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述微波耦合件的轴向长度范围为200mm~500mm；和/或，所述微波耦合件的直径范围为10mm~40mm。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述连接管的内周壁上设置有等离子体保护涂层。

8.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括至少一个进气管，所述进气管位于所述等离子体产生腔靠近所述微波传输结构的一侧，所述进气管与所述等离子体产生腔内部连通。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括两个所述进气管，分别为第一进气管和第二进气管，所述第一进气管和所述第二进气管对称设置在所述等离子体产生腔的两侧。

10.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述微波产生结构包括依次连接的供电电源、微波源和微波匹配器，所述微波匹配器内设置有环流器、定向耦合器和阻抗调节单元；其中，

所述环流器用于吸收反射功率；

所述定向耦合器用于测量入射功率和反射功率；

所述阻抗调节单元为三螺钉自动调谐器。

11.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至10中任意一项所述的工艺腔室。