[发明专利]具有到达邻近发射器间共享的欧姆金属层的共享过孔的发射器阵列在审
申请号: | 201910238980.1 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110323669A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | A.袁;A.V.巴威 | 申请(专利权)人: | 朗美通经营有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贺紫秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射器 发射器阵列 邻近 欧姆金属层 共享 多个发射器 保护层 穿过 | ||
1.一组垂直腔表面发射激光器阵列,即VCSEL阵列,包括:
多个VCSEL,包括两个邻近VCSEL;
欧姆金属层,与多个VCSEL关联;和
保护层,在欧姆金属层上方,
其中保护层包括到达欧姆金属层的过孔,
其中过孔在多个VCSEL中的两个邻近VCSEL之间共享。
2.如权利要求1所述的VCSEL阵列,其中过孔位于两个VCSEL附近的空隙区域中。
3.如权利要求1所述的VCSEL阵列,其中欧姆金属层包括具有相应过孔的分离部分,
其中过孔对应于分离部分中之一。
4.如权利要求3所述的VCSEL阵列,其中分离部分位于多个VCSEL中的邻近VCSEL之间的相应空隙区域中。
其中分离部分中之一位于两个邻近VCSEL之间。
5.如权利要求1所述的VCSEL阵列,其中欧姆金属层包括在两个邻近VCSEL的相应孔之间延伸的部分。
6.如权利要求1所述的VCSEL阵列,其中过孔径向地定位于被两个邻近VCSEL共享的一对沟槽之间。
7.如权利要求1所述的VCSEL阵列,其中两个邻近VCSEL中之一的孔与过孔之间的径向距离小于该孔与两个邻近VCSEL间的沟槽之间的另一径向距离。
8.一种发射器阵列,包括:
多个发射器,包括两个邻近发射器;
欧姆金属层,与多个发射器关联,
其中欧姆金属层包括被两个邻近发射器共享且定位在这两个邻近发射器之间的部分;
保护层,在欧姆金属层的上方;和
过孔,穿过保护层到达所述部分,
其中过孔被两个邻近发射器共享且定位在这两个邻近发射器之间。
9.如权利要求8所述的发射器阵列,其中过孔定位在两个邻近发射器之间的空隙区域中。
10.如权利要求8所述的发射器阵列,其中欧姆金属层包括与所述部分分离的一个或多个其他部分。
其中所述一个或多个其他部分与相应过孔关联,
其中所述一个或多个其他部分与发射器阵列中的在两个邻近发射器中之一附近的其他发射器关联。
11.如权利要求10所述的发射器阵列,其中欧姆金属层包括与两个邻近发射器中之一关联的另一部分,
其中所述另一部分将所述部分和一个或多个其他部分彼此电连接。
12.如权利要求8所述的发射器阵列,其中过孔和所述部分径向地定位在两个邻近发射器间的两个邻近沟槽之间。
13.如权利要求8所述的发射器阵列,其中所述部分将两个邻近发射器的相应孔电连接。
14.如权利要求8所述的发射器阵列,其中两个邻近发射器中之一的孔与过孔之间的径向距离小于所述孔与两个邻近发射器间的沟槽之间的径向距离。
15.一种形成激光器阵列的方法,包括:
在基板上或中形成两个邻近激光器;
与形成两个邻近激光器相关联地形成欧姆金属层,包括形成欧姆金属层的一部分,该部分被两个邻近激光器共享且处于这两个邻近激光器之间的位置;
与形成欧姆金属层相关联地在激光器阵列上方形成保护层;和
与形成保护层相关联地形成穿过保护层到达欧姆金属层的过孔。
16.如权利要求15所述的方法,其中形成过孔包括:
在所述部分上方形成过孔且使得过孔在邻近激光器之间共享。
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