[发明专利]一种电压选择电路及方法有效
申请号: | 201910239185.4 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110045779B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 邹志革;吴文海;徐文韬;皮庆广;童乔凌 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 选择 电路 方法 | ||
1.一种电压选择电路,其特征在于,包括峰值电流源电路、迟滞比较电路及电压输出电路;所述峰值电流源电路的输入端接电源电压,输出端与所述迟滞比较电路相连,用于产生偏置电流;所述迟滞比较电路的输入端与第一输入电压源和第二输入电压源相连,输出端与所述电压输出电路相连,用于产生逻辑电平;所述电压输出电路根据所述逻辑电平选择输出第一输入电压源或者第二输入电压源;
所述峰值电流源电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管,第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻,第一PMOS管的源极接电源电压,栅极接使能信号,第二PMOS管的栅极接地,源极连接第一PMOS管的漏极,漏极与第一NMOS管栅极短接并连接到第一电阻正端,第三PMOS管的源极接电源电压,栅极与漏极短接并连接到第二NMOS管的漏极,第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极短接并连接到第一电阻负端,第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地;
所述迟滞比较电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管,第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管,第二电阻,第三电阻,第一迟滞反相器,第二迟滞反相器,第四PMOS管至第六PMOS管的源极接电源电压,第四PMOS管至第六PMOS管的栅极均连接到第三PMOS管的栅极,第四PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极、栅极短接并连接到第四NMOS管的栅极,第五PMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极、第五NMOS管的源极短接并连接到第一迟滞反相器的输入端,第六PMOS管的漏极连接到第五NMOS管的漏极,第一迟滞反相器的输出端连接到第二迟滞反相器的输入端,第二迟滞反相器的输出端连接到第五NMOS管的栅极,第三NMOS管和第四NMOS管的源极分别连接到第二电阻和第三电阻的正端,第二电阻和第三电阻的负端分别连接第一输入电压源和第二输入电压源。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述偏置电流经过所述迟滞比较电路被镜像得到第一镜像电流源、第二镜像电流源以及第三镜像电流源。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述迟滞比较电路包括源端输入对,所述源端输入对利用所述第一镜像电流源和所述第二镜像电流源作为偏置电流比较第一输入电压源和第二输入电压源的大小。
4.根据权利要求1或2所述的电路,其特征在于,所述逻辑电平用于判断是否在所述迟滞比较电路中引入第三镜像电流源作为负载。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电压输出电路包括两个PMOS管,由所述逻辑电平控制开关。
6.一种基于权利要求1至5任一项所述的电路的电压选择方法,其特征在于,包括:
输入电源电压,通过峰值电流源电路得到偏置电流;
所述偏置电流通过迟滞比较得到控制电压输出的逻辑电平;
所述逻辑电平控制电路开关,选择输出电压。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述选择输出电压为高电压输出或者低电压输出。
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