[发明专利]基于上电置位的闭环TMR磁场测量装置有效
申请号: | 201910239282.3 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN109932670B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 谭超;杨哲;龚晓辉;乐周美;王家成;李宗燎 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/00;G01V3/40 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 吴思高 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 上电置位 闭环 tmr 磁场 测量 装置 | ||
1.基于上电置位的闭环TMR磁场测量装置,包括TMR磁敏传感器(1)、差分转单端芯片(2)、积分电路(3)、V/I转换电路(4)、激励电路(5)和反馈导线(6);其特征在于:
所述反馈导线(6)布置于TMR磁敏传感器(1)下方,且反馈导线(6)所产生的磁场与TMR磁敏传感器(1)的敏感轴相平行;
所述TMR磁敏传感器(1)的信号输出端连接差分转单端芯片(2),差分转单端芯片(2)连接积分电路(3),积分电路(3)的输出端经V/I转换电路(4)转换后连接到反馈导线(6),构成闭环回路;
所述V/I转换电路(4)包括反馈电阻(7),用于调节闭环回路中反馈电流的大小;
所述反馈导线(6)、V/I转换电路(4)均连接激励电路(5);
闭环TMR磁场测量方法,包括以下步骤:
1):反馈导线(6)放置于TMR磁敏传感器(1)芯片底部,反馈导线(6)其磁场方向与TMR磁敏传感器(1)的敏感轴方向平行;
2):将TMR磁敏传感器(1)的信号输出端与差分转单端芯片(2)的输入端相连,通过差分转单端芯片(2)把TMR磁敏传感器(1)输出的差分信号转换为单端信号后输出;
3):将差分转单端芯片(2)的输出端与积分电路(3)的输入端相连,使用积分电路(3)对输出信号进行积分运算,提高信号输出幅值;
4):将积分电路(3)输出端与V/I转换电路(4)的输入端相连;使用V/I转换电路(4)对积分后输出的电压进行处理,通过该电路能够把电路输出电压转换为反馈电流并输入反馈导线(6);
5):将由单稳态电路组成的激励电路(5)与反馈导线(6)相连,构成上电置位电路;当给设备上电时, 反馈导线(6)受到激励电路发出的脉冲信号后会产生一个强磁场,TMR磁敏传感器(1)受到强磁场的激励其电压输出曲线便会工作于磁滞回线,
6):将V/I转换电路(4)的输出端与反馈导线(6)相连,使用反馈导线(6)产生补偿磁场对TMR磁敏传感器(1)所受的外部磁场进行补偿;反馈电流流入反馈导线(6)后,导线周围会产生一个补偿磁场,该磁场与TMR磁敏传感器(1)所受的外部磁场大小相等、方向相反,因此该补偿磁场会与外部磁场相抵消,使传感器工作于一个稳定的磁场环境中。
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