[发明专利]可弯折柔性显示装置及其制作方法在审
申请号: | 201910239375.6 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN111755471A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 杨轩;孙伯彰 | 申请(专利权)人: | 陕西坤同半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 郑裕涵 |
地址: | 712046 陕西省咸阳市秦*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可弯折 柔性 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种可弯折柔性显示装置,其特征在于,所述可弯折柔性显示装置包括:
柔性基板;
缓冲层,设置于所述柔性基板上;
薄膜场效应晶体管器件层,设置于所述缓冲层上,所述薄膜场效应晶体管器件层上设有多个贯通相对两表面的开孔;
平坦层,设置于所述薄膜场效应晶体管器件层及所述多个开孔内;
有机发光二极管器件层,设置于所述平坦层上;以及
封装层,设置于所述有机发光二极管器件层上。
2.根据权利要求1所述的可弯折柔性显示装置,其特征在于,所述缓冲层还包括:
氮化硅层,设置于所述柔性基板上;以及
氧化硅层,设置于所述氮化硅层上,所述器件层设置于所述氧化硅层上。
3.根据权利要求1所述的可弯折柔性显示装置,其特征在于,所述薄膜场效应晶体管器件层还包括:
多晶硅层,设置于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,设置于所述多晶硅层上;
第一金属层,设置于所述栅极绝缘层上;
层间绝缘层,设置于所述第一金属层上;以及
第二金属层,设置于所述层间绝缘层上,所述平坦层设置于所述第二金属层上;
其中,所述多个开孔贯通所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一金属层、所述层间绝缘层及所述第二金属层。
4.一种可弯折柔性显示装置的制作方法,其特征在于,所述可弯折柔性显示装置的制作方法包括以下步骤:
形成柔性基板;
于所述柔性基板上形成缓冲层;
于所述缓冲层上形成薄膜场效应晶体管器件层;
于所述薄膜场效应晶体管器件层上形成多个贯通相对两表面的开孔;
于所述薄膜场效应晶体管器件层上及所述开孔内形成平坦层;
于所述平坦层上形成有机发光二极管器件层;以及
于所述有机发光二极管器件层上形成封装层。
5.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法,其特征在于,所述形成缓冲层的步骤还包括:
于所述柔性基板上形成氮化硅层;以及
于所述氮化硅层上形成所述氧化硅层。
6.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法,其特征在于,所述形成薄膜场效应晶体管器件层的步骤还包括:
于所述缓冲层上形成所述多晶硅层,并在所述多晶硅层上刻蚀出需要的器件图形;
于所述多晶硅层上形成栅极绝缘层;
于所述栅极绝缘层上形成第一金属层;
于所述第一金属层上形成层间绝缘层;以及
于所述层间绝缘层上形成第二金属层。
7.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法,其特征在于,是通过激光照射所述薄膜场效应晶体管器件层的上表面,使其穿过所述薄膜场效应晶体管器件层的下表面,形成所述多个贯通相对两表面的开孔。
8.一种可弯折柔性显示装置,其特征在于,所述可弯折柔性显示装置包括:
柔性基板;
缓冲层,设置于所述柔性基板上;
薄膜场效应晶体管器件层,设置于所述缓冲层上;
平坦层,设置于所述薄膜场效应晶体管器件层上;
有机发光二极管器件层,设置于所述平坦层上;
多个开孔,由上至下依次贯通所述有机发光二极管器件层、所述平坦层及所述薄膜场效应晶体管器件层;以及
封装层,设置于所述有机发光二极管器件层上及所述多个开孔内。
9.根据权利要求8所述的可弯折柔性显示装置,其特征在于,所述缓冲层还包括:
氮化硅层,设置于所述柔性基板上;以及
氧化硅层,设置于所述氮化硅层上,所述器件层设置于所述氧化硅层上。
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