[发明专利]液晶面板及其制造方法有效
申请号: | 201910239476.3 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110320709B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 下敷领文一;寺下慎一;渡边光一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶面板,其依次具备:具有以矩阵状配置的多个像素电极和第一取向膜的第一基板;
含有液晶分子的液晶层;以及
具有共用电极和第二取向膜的第二基板,
所述液晶面板的特征在于,
在定义了以所述液晶分子的所述第一基板侧的长轴端部作为起点且以所述第二基板侧的长轴端部作为终点的取向矢量时,对所述第一取向膜以及所述第二取向膜进行取向处理,使得所述取向矢量的朝向为第一方向的第一晶畴、所述取向矢量的朝向为第二方向的第二晶畴、所述取向矢量的朝向为第三方向的第三晶畴、以及所述取向矢量的朝向为第四方向的第四晶畴,在与单一的所述像素电极重叠的显示单元区域的每一个中,沿列方向排列,
在行方向上连续的至少30个像素中,所述第一晶畴、所述第二晶畴、所述第三晶畴以及所述第四晶畴的排列相同,
位于第n行的所述显示单元区域中的晶畴配置顺序是第一晶畴、第二晶畴、第三晶畴以及第四晶畴的顺序,n是1以上的任意整数,
所述多个像素电极包含第一像素电极,所述第一像素电极具有以下结构:在与所述第一晶畴重叠的区域、与所述第二晶畴重叠的区域、与所述第三晶畴重叠的区域以及与所述第四晶畴重叠的区域中的至少一个区域中,设置有与所对应的晶畴的所述取向矢量平行的微细狭缝,并且在其余的区域中,并未设置所述微细狭缝,
在俯视所述显示单元区域时,所述第一晶畴的取向矢量与所述第二晶畴的取向矢量具有终点彼此相对、并且相互正交的关系,所述第二晶畴的取向矢量与所述第三晶畴的取向矢量具有起点彼此相对、并且相互平行的关系,所述第三晶畴的取向矢量与所述第四晶畴的取向矢量具有终点彼此相对、并且相互正交的关系。
2.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,
所述多个像素电极在所述列方向侧的两端并未设置所述微细狭缝。
3.根据权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,
所述微细狭缝未设置于所述多个像素电极的端部。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的液晶面板,其特征在于,
所述多个像素电极包含下述(1)~(4)的组合中的至少一个:
(1)在与所述第一晶畴重叠的区域设置有所述微细狭缝的像素电极、和在与所述第一晶畴重叠的区域并未设置所述微细狭缝的像素电极的组合;
(2)在与所述第二晶畴重叠的区域设置有所述微细狭缝的像素电极、和在与所述第二晶畴重叠的区域并未设置所述微细狭缝的像素电极的组合;
(3)在与所述第三晶畴重叠的区域设置有所述微细狭缝的像素电极、和在与所述第三晶畴重叠的区域并未设置所述微细狭缝的像素电极的组合;
(4)在与所述第四晶畴重叠的区域设置有所述微细狭缝的像素电极、和在与所述第四晶畴重叠的区域并未设置所述微细狭缝的像素电极的组合。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的液晶面板,其特征在于,
所述第一像素电极具有以下结构:在与所述第一晶畴重叠的区域、与所述第二晶畴重叠的区域、与所述第三晶畴重叠的区域以及与所述第四晶畴重叠的区域中的任意两个区域中,设置有所述微细狭缝,并且在其余两个区域中,并未设置所述微细狭缝。
6.根据权利要求5所述的液晶面板,其特征在于,
所述多个像素电极包含第二像素电极,所述第二像素电极具有以下结构:与所述第一像素电极邻接配置,并且与在所述第一像素电极中并未设置微细狭缝的两种晶畴重叠的两个区域中,设置有所述微细狭缝,在其余两个区域中,并未设置所述微细狭缝。
7.根据权利要求6所述的液晶面板,其特征在于,
所述第一像素电极具有以下结构:在与所述第一晶畴重叠的区域以及与所述第三晶畴重叠的区域设置有所述微细狭缝,在与所述第二晶畴重叠的区域以及与所述第四晶畴重叠的区域并未设置所述微细狭缝,
所述第二像素电极具有以下结构:在与所述第二晶畴重叠的区域以及与所述第四晶畴重叠的区域设置有所述微细狭缝,在与所述第一晶畴重叠的区域以及与所述第三晶畴重叠的区域并未设置所述微细狭缝。
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