[发明专利]一种抑制启动时的过高电压产生的方法和电路

权利要求书

1.一种用于抑制电源提供单元启动时的过高电压产生的抑压电路，其中，所述电源提供单元包括脉宽调制电压驱动和电源转换MOS管，所述脉宽调制电压驱动的正极与所述电源转换MOS管的栅极相连，所述脉宽调制电压驱动的负极与所述电源转换MOS管的源极相连；其中，

所述抑压电路并联在所述电源转换MOS管的栅极和源极之间；在所述脉宽调制电压驱动的起始脉冲产生期间，所述抑压电路减缓所述电源转换MOS管的栅极和源极之间的电压幅值上升的速度；在所述脉宽调制电压驱动的起始脉冲之后，所述抑压电路不影响所述电源转换MOS管的开通速度；

其中，所述起始脉冲产生期间意指，所述电源提供单元的上电初始或复位启动之后，所述脉宽调制电压驱动产生的第一个脉冲周期信号的有效脉冲宽度的时间段内；所述脉宽调制电压驱动的起始脉冲之后意指，所述脉宽调制电压驱动输出的第二个脉冲周期信号及其之后的时间段。

2.根据权利要求1所述的抑压电路，其中还包括：所述抑压电路不影响所述电源提供单元的重新启动的过程。

3.根据权利要求1或2所述的抑压电路，其中，所述抑压电路包括：

一个二极管，一个电容和一个电阻；所述电容和所述电阻并联；所述二极管的正极与所述脉宽调制电压驱动的正极相连；并联的电阻电容的一端与所述二极管的负极相连，另一端与所述电源转换MOS管的源极相连。

4.根据权利要求3所述的抑压电路，其中，所述电容和所述电阻满足：

Kr*Kcm*Ts；

其中，Kr是所述电阻的电阻值，Kc是所述电容的电容值，Ts是所述脉宽调制电压驱动产生的脉冲电压信号的周期，m取值为5。

5.根据权利要求3所述的抑压电路，其中，所述电容和所述电阻满足：

Kr*KcTp/n；

其中，Tp是所述电源提供单元重新启动所需的最短时间间隔，n取值为3。

6.一种实现抑制电源提供单元启动时的过高电压产生的抑压电路的方法，其中，所述电源提供单元包括脉宽调制电压驱动和电源转换MOS管，所述脉宽调制电压驱动的正极与所述电源转换MOS管的栅极相连，所述脉宽调制电压驱动的负极与所述电源转换MOS管的源极相连；其中，所述方法包括：

S1：将所述抑压电路并联在所述电源转换MOS管的栅极和源极之间；

S2：在所述脉宽调制电压驱动的起始脉冲产生期间，使所述抑压电路减缓所述电源转换MOS管的栅极和源极之间的电压幅值上升的速度；在所述脉宽调制电压驱动的起始脉冲之后，使所述抑压电路不影响所述电源转换MOS管的开通速度；

其中，所述起始脉冲产生期间意指，所述电源提供单元的上电初始或复位启动之后，所述脉宽调制电压驱动产生的第一个脉冲周期信号的有效脉冲宽度的时间段内；所述脉宽调制电压驱动的起始脉冲之后意指，所述脉宽调制电压驱动输出的第二个脉冲周期信号及其之后的时间段。

7.根据权利要求6所述的方法，其中还包括：

S3：使所述抑压电路不影响所述电源提供单元的重新启动的过程。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述步骤S2包括：

S21：布置一个二极管，一个电容和一个电阻；

S22：将所述电容和所述电阻并联；将所述二极管的正极与所述脉宽调制电压驱动的正极相连；将并联的电阻电容的一端与所述二极管的负极相连，另一端与所述电源转换MOS管的源极相连。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述电容和所述电阻满足：

Kr*Kcm*Ts；

其中，Kr是所述电阻的电阻值，Kc是所述电容的电容值，Ts是所述脉宽调制电压驱动产生的脉冲电压信号的周期，m取值为5。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述电容和所述电阻满足：

Kr*KcTp/n；

其中，Tp是所述电源提供单元重新启动所需的最短时间间隔，n取值为3。

11.一种电子设备，其中包括如权利要求1至5中任一项所述的抑压电路。