[发明专利]基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法

权利要求书

1.一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器的制备方法，包括如下步骤：

步骤1、清洗基片；

步骤2、在步骤1清洗干净的基片上采用磁控溅射法生长铋纳米柱；

2.1将步骤1清洗干净的基片放入磁控溅射腔室内，在10^-5Pa量级的背底真空环境下，以5～30sccm的流量将氩气通入真空室，待气压稳定后，工作气压为0.1～0.5Pa，基片温度为50～150℃；

2.2打开磁控溅射电源，以5～20W的直流功率进行铋金属靶材的溅射；

2.3打开铋金属靶材的挡板，匀速旋转生长铋，生长完成后，关闭铋金属靶材的挡板和溅射电源，即可在硅基片上形成铋纳米柱结构；

步骤3、铋纳米柱的剥离：

3.1采用旋涂法，将PDMS旋涂液均匀涂覆至步骤2得到的带铋纳米柱的硅基片上，旋涂转速为500～1000r/min；

3.2涂覆完成后，在100～150℃的加热台上固化30～60min，然后将柔性材料从基片上剥离，即可得到带铋纳米柱的PDMS；

步骤4、转移石墨烯薄膜：

将CVD法得到的石墨烯薄膜转移至步骤3得到的铋纳米柱上。