[发明专利]一种暖机方法及刻蚀方法

权利要求书

1.一种暖机方法，包括：

控温阶段，检测绝缘筒的温度，并在所述绝缘筒的温度小于预设的温度范围时进行升温工艺，以控制反应腔室的所述绝缘筒的温度维持在预设的温度范围内，其中所述升温工艺为等离子体起辉加热所述反应腔室，并且其中所述绝缘筒位于所述反应腔室上方，并且在所述绝缘筒上缠绕有线圈，所述等离子体使得所述绝缘筒的温度升高；以及

工艺阶段，进行暖机工艺，以使所述反应腔室达到需求工艺气氛。

2.根据权利要求1所述的暖机方法，其中所述控温阶段包括以下步骤：

S1：检测所述绝缘筒的温度是否小于或等于所述温度范围的下限值；如所述绝缘筒的温度小于或等于所述预设的温度范围的下限值，则执行步骤S2；如所述绝缘筒的温度大于所述预设的温度范围的下限值，则进入所述工艺阶段；

S2：向所述反应腔室通入工艺气体，并开启上电极射频电源，以使所述绝缘筒的温度升高；

S3：检测所述绝缘筒的温度是否等于所述温度范围的上限值；如所述绝缘筒的温度等于所述预设的温度范围的上限值，则执行步骤S4；如所述绝缘筒的温度不等于所述预设的温度范围的上限值，则返回执行步骤S2；

S4：停止向所述反应腔室通入所述工艺气体，并关闭所述上电极射频电源，在设定时间后进入所述工艺阶段。

3.根据权利要求2所述的暖机方法，其中在所述工艺阶段中，采用一片测试晶片进行所述暖机工艺。

4.根据权利要求3所述的暖机方法，其中在所述工艺阶段之后，还包括：

验证阶段，进行所述暖机工艺，以验证所述反应腔室是否达到了稳定的工艺状态。

5.根据权利要求4所述的暖机方法，其中在所述验证阶段中，采用一片测试晶片进行所述暖机工艺。

6.根据权利要求2-5任一项所述的暖机方法，其中在所述控温阶段中，所述工艺气体为氧气、氦气以及氮气中的任意一种。

7.根据权利要求6所述的暖机方法，其中在所述控温阶段中，所述上电极射频电源的功率的范围为：3000～4000W。

8.根据权利要求7所述的暖机方法，其中在所述控温阶段中，所述氧气的流量为200～300sccm。

9.根据权利要求8所述的暖机方法，其中在所述控温阶段中，所述氦气的流量为200～300sccm。

10.根据权利要求9所述的暖机方法，其中所述绝缘筒为陶瓷筒，所述预设的温度范围为360～390℃。

11.一种刻蚀方法，包括暖机步骤和刻蚀步骤，所述暖机步骤采用权利要求1-10任一项所述的暖机方法。