[发明专利]一种基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件

权利要求书

1.一种基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件，包括弯曲畴壁波导(3)、激发天线(1)和接收天线(2)；所述弯曲畴壁波导包括硬磁层和位于硬磁层之上的软磁层，所述激发天线与弯曲畴壁波导的两端固定连接，所述接收天线位于弯曲畴壁波导对称轴上、且与弯曲畴壁波导的软磁层固定连接；

所述软磁层上外磁场分界线的一边施加垂直软磁层薄膜向上的外磁场，另一边施加垂直软磁层薄膜向下的外磁场，即可在弯曲畴壁波导上产生布洛赫型畴壁；

其中，所述软磁层的厚度为2nm，所述自旋波沿弯曲畴壁波导传输。

2.根据权利要求1所述的基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件，其特征在于，所述弯曲畴壁波导为半圆弧形。

3.根据权利要求1所述的基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件，其特征在于，所述软磁层为坡莫合金，所述硬磁层为Co/Pd合金。

4.根据权利要求1所述的基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件，其特征在于，所述激发天线和接收天线为矩形微带贴片天线。

5.一种基于布洛赫型畴壁的自旋波逻辑器件的实现方法，包括以下步骤：

步骤1、初始化：软磁层上外磁场分界线的一边施加垂直软磁层薄膜向上的外磁场，另一边施加垂直软磁层薄膜向下的外磁场，即可在弯曲畴壁波导上产生布洛赫型畴壁；

步骤2、在弯曲畴壁波导的第一磁场调制区域和第二磁场调制区域施加相同大小和方向的磁场时，接收天线处输出高平信号；

步骤3、在弯曲畴壁波导的第一磁场调制区域施加磁场，第二磁场调制区域不施加磁场时，接收天线处输出低平信号；

步骤4、在弯曲畴壁波导的第二磁场调制区域施加磁场，第一磁场调制区域不施加磁场时，接收天线处输出低平信号；

步骤5、在弯曲畴壁波导的第一磁场调制区域和第二磁场调制区域均不施加外磁场时，接收天线处输出高平信号。