[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多个顶发射型发光器件，位于所述发光器件与所述衬底基板之间的感光器件，以及位于所述感光器件与所述发光器件之间的折射层；

所述折射层与所述感光器件具有设定距离，所述折射层至少覆盖各所述发光器件之间的间隙区域，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率；

所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

所述感光器件部分位于所述间隙区域，部分位于所述发光器件的下方，所述感光器件包括：与所述折射层呈第一预设距离的第一感光元件，以及与所述折射层呈第二预设距离的第二感光元件，其中，所述第一预设距离小于所述第二预设距离；

所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影仅覆盖所述间隙区域，所述第二感光元件至少部分位于所述发光器件的下方；

其中，所述第一感光元件与所述第二感光元件并联设置。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述发光器件指向所述衬底基板的方向上，位于所述发光器件与所述感光器件之间的各膜层的折射率依次降低。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光器件在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述间隙区域。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二感光元件在所述衬底基板上的正投影位于所述间隙区域。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二感光元件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一感光元件在所述衬底基板上的正投影。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一预设距离的取值范围为0.5μm～1μm；

所述第一感光元件与所述第二感光元件之间的垂直距离的取值范围为0.5μm～1μm。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述第二感光元件与所述衬底基板之间的读取晶体管；

所述第一感光元件和所述第二感光元件均包括上电极和下电极；

所述第一感光元件的下电极和所述第二感光元件的下电极均与所述读取晶体管的源电极相连；

所述第一感光元件的上电极和所述第二感光元件的上电极均与偏置信号线相连。

8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述第一感光元件与所述第二感光元件之间的第一绝缘层，以及位于所述第一感光元件与所述折射层之间的第二绝缘层；

所述第二绝缘层的折射率大于所述第一绝缘层的折射率。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述折射层背离所述衬底基板一侧的像素界定层；

所述像素界定层的折射率大于所述第二绝缘层的折射率。

10.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述折射层的材料包括：Si₃N₄和/或环氧树脂。

11.如权利要求1或6-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件包括光电二极管。

12.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件包括光电二极管。

13.一种如权利要求1-12任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成感光器件，其中，所述感光器件在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

在所述感光器件背离所述衬底基板的一侧形成至少覆盖所述间隙区域的折射层，其中，所述折射层的折射率大于所述间隙区域内所述折射层靠近所述衬底基板一侧相邻膜层的折射率。