[发明专利]硼系膜的成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种硼系膜的成膜方法，用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜，所述硼系膜的成膜方法包括以下工序：

第一工序，将基板搬入到成膜装置的腔室内，所述成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体化学气相沉积来形成硼系膜；

第二工序，向所述腔室内供给含有含硼气体的处理气体；

第三工序，施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力；以及

第四工序，利用所述高频电力生成所述处理气体的等离子体，来在基板上形成所述硼系膜，

其中，通过所述第三工序的高频电力的功率来调整所述硼系膜的膜应力。

2.根据权利要求1所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

在所述第三工序中，施加功率为500W以下的高频电力。

3.根据权利要求2所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

在所述第三工序中，施加功率为100W以下的高频电力。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

通过所述第四工序时的所述腔室内的压力来调整所述硼系膜的膜应力。

5.根据权利要求4所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

所述腔室内的压力为300mTorr至3Torr的范围，也即40Pa至400Pa的范围。

6.根据权利要求5所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

所述腔室内的压力为500mTorr至1Torr的范围，也即66.7Pa至133.3Pa的范围。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

所述处理气体含有含硼气体和稀有气体。

8.根据权利要求7所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

所述稀有气体包括He气体和/或Ar气体，通过He气体与Ar气体的比率来调整所述硼系膜的膜应力。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

在所述第四工序中，通过由向用于载置所述基板的载置台施加的高频电力产生的偏置电压，来控制源自等离子体的离子向所述载置台的吸引，从而调整所述硼系膜的膜应力。

10.根据权利要求1至8中的任一项所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

在所述第四工序中，通过用于载置所述基板的载置台的阻抗，来控制源自等离子体的离子对所述载置台上的基板的作用，从而调整所述硼系膜的膜应力。

11.根据权利要求10所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

在所述第四工序中，将用于载置所述基板的载置台的阻抗调整成从载置台上的基板排斥等离子体中的离子，从而调整所述硼系膜的膜应力。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

所述硼系膜为包含硼和不可避免的杂质的硼膜。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

将B₂H₆气体用作所述含硼气体。

14.根据权利要求1、4或7所述的硼系膜的成膜方法，其特征在于，

用于载置所述基板的载置台的温度被设定为60℃至500℃。