[发明专利]OLED显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201910242542.2 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109979977A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 李朝 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃基板 柔性层 氮化硅层 浸润层 制备 薄膜封装层 薄膜晶体管 膜厚均匀性 产品良率 亲疏水性 亲水性 驱动层 疏水性 有效流 | ||
本发明提供一种OLED显示面板及制备方法。所述OLED显示面板包括:双层PI柔性层,所述双层PI柔性层包括:玻璃基板、浸润层、PI柔性层、无机氮化硅层;薄膜晶体管驱动层;OLED发光层;薄膜封装层;所述浸润层将所述玻璃基板或所述无机氮化硅层由亲水性转变为疏水性;由于亲疏水性相同,PI液可以在玻璃基板和无机SiNx层上有效流平,提高PI薄膜的膜厚均匀性,从而提高OLED显示面板的产品良率并降低弯曲时脱落的风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)显示技术发展突飞猛进,OLED产品由于具有轻薄、响应快、广视角、高对比度、柔性等优点,受到了越来越多的关注和应用,主要应用在手机、平板、电视等显示领域。
OLED因其在固态照明和平板显示的方向拥有巨大的发展潜力而得到了学术界和产业界的极大关注。有机发光二极管(OLED)平板可以做的更轻更薄,因而柔性显示技术将是未来的发展趋势。常用的基板衬底多为聚酰亚胺(Polyimide,简称:PI)等柔性衬底,薄膜晶体管在柔性衬底上通过信号的控制,实现对有机发光二极管(OLED)器件的发光调控。
柔性OLED显示面板装置由下到上包括聚酰亚胺柔性层、薄膜晶体管驱动层、OLED发光层、薄膜封装层等。OLED的发光原理是在两个电极之间沉积OLED发光层,对OLED发光层通以电流,通过载流子注入和复合而导致发光。在柔性OLED显示技术中,通常采用PI取代传统的玻璃基底,以实现折叠和柔性显示。为了实现更好的弯折及水氧阻隔性能,通常采用双层PI代替单层PI,即PI-SiNx-PI结构。PI基板业界制备方法大多为涂布法,即在玻璃基板衬底上涂布一定厚度的PI液,溶剂挥发后便形成PI坚膜;由于PI溶液与玻璃基板及无机SiNx的亲疏水性刚好相反,PI溶液难以在玻璃基板及SiNx上铺展开,尤其是边缘区域容易形成岛状积液,从而造成PI基板膜厚不均,即边缘区域PI膜厚偏厚,影响OLED显示面板的产品良率,且在弯曲时有脱落的风险。
综上所述,现有技术的OLED显示面板,PI溶液与玻璃基板和无机SiNx的亲疏水性相反,导致柔性OLED显示面板构的PI薄膜的厚度不均匀,在弯曲时容易断裂、脱落。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法,可提高该OLED显示面板构的PI薄膜的厚度均匀性,以及提高柔性OLED显示面板的产品良率和可性耐性。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括:
双层聚酰亚胺柔性层,所述双层聚酰亚胺柔性层包括:依次设置的第一聚酰亚胺柔性层、无机氮化硅层和第二聚酰亚胺柔性层,所述双层聚酰亚胺柔性层还包含第一浸润层以及第二浸润层;
薄膜晶体管驱动层,设置在所述双层聚酰亚胺柔性层上;
OLED发光层,设置在所述薄膜晶体管驱动层上;以及
薄膜封装层,设置在所述OLED发光层上。
根据本发明实施例所提供的OLED显示面板,所述第一浸润层设置于所述第一聚酰亚胺柔性层上。
根据本发明实施例所提供的OLED显示面板,所述第二浸润层设置于所述无机氮化硅层和所述第二聚酰亚胺柔性层之间。
根据本发明实施例所提供的OLED显示面板,所述第一浸润层、所述第一聚酰亚胺柔性层、所述无机氮化硅层、所述第二浸润层和所述第二聚酰亚胺柔性层由下自上依次设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的