[发明专利]降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器及方法有效
| 申请号： | 201910243096.7 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110010754B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王剑平;孙莹;曹蕊;聂鑫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/113;G01N15/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 提高 阵列 压电 薄膜 传感器 方法 | ||
1.一种降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器，其特征在于：所述的阵列式压电薄膜传感器包括从上到下依次布置的PVDF压电薄膜层、缓冲层和基底，PVDF压电薄膜层是由多片PVDF压电薄膜在同一平面阵列排布而成，阵列式压电薄膜传感器中的缓冲层沿垂直于PVDF压电薄膜的阵列排布方向将缓冲层分为多条缓冲条，每条缓冲条平行于PVDF压电薄膜布置，每条缓冲条尺寸为与PVDF压电薄膜等宽；
所述的PVDF压电薄膜为条形，多片PVDF压电薄膜在同一平面沿垂直于条形的方向阵列排布。
2.根据权利要求1所述的一种降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器，其特征在于：所述的缓冲层采用橡胶、硅橡胶、发泡硅胶材料。
3.根据权利要求1所述的一种降低杂信比和提高信噪比的阵列式压电薄膜传感器，其特征在于：所述的基底采用具有较高冲击韧性和强度极限的材料。
4.一种降低阵列式压电薄膜传感器杂信比和提高其信噪比方法，其特征在于：阵列式压电薄膜传感器中的缓冲层沿垂直于阵列式压电薄膜传感器的PVDF压电薄膜的阵列排布方向将缓冲层分为多条缓冲条，每条缓冲条平行于PVDF压电薄膜布置，每条缓冲条尺寸为与PVDF压电薄膜等宽，利用分割后缓冲层的阵列式压电薄膜传感器进行颗粒碰撞的压电检测进行处理，能够降低检测的杂信比和提高信噪比；
所述的PVDF压电薄膜为条形，多片PVDF压电薄膜在同一平面沿垂直于条形的方向阵列排布。
5.根据权利要求4所述的一种降低阵列式压电薄膜传感器杂信比和提高其信噪比方法，其特征在于：所述的阵列式压电薄膜传感器包括从上到下依次布置的PVDF压电薄膜层、缓冲层和基底，PVDF压电薄膜层是由多片PVDF压电薄膜在同一平面阵列排布而成。
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