[发明专利]像素结构、有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

衬底；

像素界定层，设于所述衬底上，所述像素界定层围合形成像素坑；

像素电极，设于所述衬底上，所述像素电极具有设置于所述像素坑内的第一段，且所述第一段远离所述衬底的一面为凹凸的非平面，所述第一段包括，沿垂直于所述衬底的方向，离所述衬底距离最远的第一位点和离所述衬底距离最近的第二位点，所述第一位点和所述第二位点之间的段差A＝D-d，其中，D表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第一位点和所述衬底之间的距离，d表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第二位点和所述衬底之间的距离；其中，所述像素界定层满足以下公式：

40A≥C≥10A+B，

B表示所述像素电极的厚度，C表示所述像素界定层的厚度。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层满足以下公式：25A≥C≥20A+B。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极和所述衬底之间还设置有钝化层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极的所述第一位点和所述第二位点之间的段差为190nm-210nm。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层的厚度为3.5μm-5μm。

6.一种有机发光二极管，其特征在于，包括像素结构和发光层，所述像素结构包括：

衬底；

像素界定层，设于所述衬底上，所述像素界定层围合形成像素坑；

像素电极，设于所述衬底上，所述像素电极具有设置于所述像素坑内的第一段，且所述第一段远离所述衬底的一面为凹凸的非平面，所述第一段包括，沿垂直于所述衬底的方向，离所述衬底距离最远的第一位点和离所述衬底距离最近的第二位点，所述第一位点和所述第二位点之间的段差A＝D-d，其中，D表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第一位点和所述衬底之间的距离，d表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第二位点和所述衬底之间的距离；

其中，所述像素界定层满足以下公式：

40A≥C≥10A+B，

B表示所述像素电极的厚度，C表示所述像素界定层的厚度；

所述发光层设置在所述像素坑中。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述像素界定层满足以下公式：25A≥C≥20A+B。

8.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上设置像素电极，其中，所述像素电极具有用于设置于像素坑内的第一段，且所述第一段远离所述衬底的一面为凹凸的非平面，所述第一段包括，沿垂直于所述衬底的方向，离所述衬底距离最远的第一位点和离所述衬底距离最近的第二位点，所述第一位点和所述第二位点之间的段差A＝D-d，其中，D表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第一位点和所述衬底之间的距离，d表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第二位点和所述衬底之间的距离；

在所述衬底上层叠像素界定层，所述像素界定层围合成像素坑，且使所述像素电极的至少部分区域露出于所述像素坑；且所述像素界定层满足以下公式：40A≥C≥10A+B，B表示所述像素电极的厚度，C表示所述像素界定层的厚度；在所述像素坑中制备发光层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述像素坑中制备发光层的步骤包括以下步骤：

将用于形成所述发光层的墨水沉积至所述像素坑内；

第一次干燥至所述像素坑内的墨水的液面与所述像素坑的边缘齐平；

将所述像素坑内的墨水凝固；

对经过凝固的墨水进行第二次干燥，制得所述发光层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用一维真空干燥工艺进行所述第一次干燥，所述第一次干燥的真空度为20torr～100torr；和/或

所述第二次干燥的真空度为10^-8torr～10^-4torr。