[发明专利]一种显示面板以及电子装置有效
申请号: | 201910243359.4 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN110047879B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 向明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 以及 电子 装置 | ||
本发明揭露一种显示面板以及电子装置,显示面板整屏的部分阳极采用透光性高的透明阳极的结构设计,且两个相同颜色的子像素通过开关薄膜晶体管电连接,共用一个像素驱动电路,可以提高整个显示区的透光性,且不会降低显示器件的出光性能,同时,提高了整机设计的灵活性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板以及电子装置。
背景技术
AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示装置是采用电流驱动OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)发光形成画面的显示器件。AMOLED显示装置因其高对比度、广色域、低功耗、可折叠等特性,逐渐成为新一代显示技术。相较于LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示装置),AMOLED的一大优势为自发光,由于不需要LCD中的背光,使屏下摄像头(Camera under Panel,简称CUP)技术成为可能。屏下摄像头技术是显示面板(Panel)的摄像头(Camera)区域既可以显示画面,又可以使外界的光透过整个显示面板传递到摄像头的镜头(Lens)中。因此,为了实现屏下摄像头技术,需要增大显示面板的透光性,从而提高摄像头对外界光的捕获能力。
请参考图1A,现有AMOLED器件子像素一实施例的部分膜层结构示意图。在本实施例中,现有AMOLED器件子像素(R/G/B)的膜层结构包括依次层叠设置的:第一氧化铟锡膜(ITO)111、Ag(银)层112、第二氧化铟锡膜(ITO)113、发光层(EML)114以及阴极115。也即,现有AMOLED器件子像素的阳极(Anode)一般选用ITO/Ag/ITO三层结构形式,其中的Ag层112用于反射发光层114发出的光线L1,提高器件的出光效率。但,Ag层的存在降低了显示面板的透光性,影响屏下摄像头技术的实施。
请参考图1B,现有AMOLED器件子像素另一实施例的部分膜层结构示意图。在本实施例中,现有AMOLED器件子像素(R/G/B)的膜层结构包括依次层叠设置的:氧化铟锡膜(ITO)121、发光层(EML)122以及阴极(Cathode)123。也即,本实施例AMOLED器件子像素的阳极选用“无Ag”的ITO作为透明阳极。而,选用“无Ag”的ITO作为透明阳极,发光层122发出的光线L1会透过透明阳极,造成光损失。这种实施方式虽然可以提高显示面板的透光性,但是会导致阳极的反射率降低,微腔效应减弱,器件的出光效率极大降低,同时R/G/B子像素的色纯度降低。
因此,如何使用无Ag的ITO作为阳极,既能提高显示面板的透光性,又不降低显示器件的出光性能,就成了摄像头技术发展亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于,针对现有技术存在的问题,提供一种显示面板以及电子装置,可以在显示面板显示中,不需要提高光学传感器区域像素的亮度,从而可以保证显示面板光学传感器区域的透光性且不降低其中像素的寿命。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括显示区;所述显示区包括划分有多个显示单元的像素阵列,所述显示单元包括第一像素和至少一个第二像素,所述第一像素包括第一子像素,所述第一子像素包括第一阳极,所述第二像素包括与所述第一子像素对应的第二子像素,所述第二子像素包括第二阳极;在任一所述显示单元中,所述第一阳极与所述第二阳极之间通过开关薄膜晶体管电连接,且所述第一阳极的透光性高于所述第二阳极的透光性。
为实现上述目的,本发明还提供了一种电子装置,所述电子装置包括本发明所述的显示面板和至少一个光学传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的