[发明专利]一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极及其制备方法

说明书

本发明公开了一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极及其制备方法，铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极从下至上包括聚对苯二甲酸乙二醇酯层，铜纳米线层，聚甲基丙烯酸甲酯层和类石墨烯二硫化钼层，本发明使用高度结晶的聚合物聚对苯二甲酸乙二醇酯作为衬底，使得复合透明导电薄膜具有高柔性，通过在铜纳米线导电网格上制备聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的方法，减小了铜纳米线表面的粗糙度，可以很好的防止铜纳米线被空气氧化，在聚甲基丙烯酸甲酯薄膜上制备类石墨烯二硫化钼薄膜，减小了电极与空穴传输层之间的注入势垒，提高载流子的注入效率，进而提高OLED器件的光电性能。

技术领域

本发明涉及有机光电子领域，特别是一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED 透明阳极及其制备方法。

背景技术

柔性OLED具有自发光、广视角、可弯曲、较低功耗和极高反应速度等优点，在传统的柔性OLED器件中，通常用氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)作为OLED器件的阳极，但是ITO有明显的缺点：一是铟是非常稀少的金属，数据显示，全世界铟的地质含量仅为1.6万吨，因此，铟的价格高昂，供应受到限制；二是ITO薄膜的制备通常采用溅射沉积技术，昂贵的层沉积要求真空，对制备环境有很高的要求；三是ITO本身易碎，不可弯曲，逐渐难以满足大众需求。

另一方面，传统的柔性OLED器件一般选择聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜作为空穴注入层，但PEDOT:PSS本身的酸性和吸湿性会使OLED器件的寿命减短。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极及其制备方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极的结构，从下至上包括聚对苯二甲酸乙二醇酯层，铜纳米线层，聚甲基丙烯酸甲酯层和类石墨烯二硫化钼层。

二硫化钼具有典型的六方结构，其层内以强化学键相连，层与层之间以弱范德华力相结合，当二硫化钼从体相材料转变成纳米材料，即类石墨烯二硫化钼时，会显示出独特的电学、光学性质和优异的催化性能。类石墨烯二硫化钼的层数越少，能带隙就越大，单层的二硫化钼能带隙可达到1.90ev。因此，由二硫化钼制得的类石墨烯二硫化钼不仅可以作为半导体材料，同时具有能带隙和高载流子迁移的特性，因此本发明使用类石墨烯二硫化钼替代 PEDOT:PSS作为空穴注入层，弥补PEDOT:PSS本身的酸性和吸湿性会使OLED器件的寿命减短的问题。

一种基于铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极的制备方法，其特征在于：

1)将铜纳米线均匀分散至去离子水中，超声5-10s，通过真空抽滤，将所述铜纳米线均匀沉积在水系微孔过滤膜上，室温下自然晾干，制得所述铜纳米线层；

2)将所述铜纳米线层贴合于所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层的上面，通过粉末压片机将所述铜纳米线层转移至所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层，制得聚对苯二甲酸乙二醇酯层/铜纳米线层复合膜；

3)将所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层/铜纳米线层复合膜平稳放置在匀胶-旋涂仪上，旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯溶液，形成聚对苯二甲酸乙二醇酯层/铜纳米线层/聚甲基丙烯酸甲酯层复合膜；

4)将所述聚对苯二甲酸乙二醇酯层/铜纳米线层/聚甲基丙烯酸甲酯层复合膜在室温下静置一段时间，使所述聚甲基丙烯酸甲酯层中的苯甲醚完全挥发，再旋涂一层类石墨烯二硫化钼溶液，即制得所述铜纳米线/类石墨烯二硫化钼的OLED透明阳极。

进一步的，旋涂所述类石墨烯二硫化钼溶液的具体操作为先设置转速800-1200rpm，旋涂5-15s，再调整转速为1800-2200rpm，旋涂15-25s。

进一步的，类石墨烯二硫化钼溶液的具体制备方法如下：