[发明专利]IGBT并联均流电路、均流方法及电机

说明书

本发明公开了IGBT并联均流电路、均流方法及电机，IGBT并联均流电路，包括：IGBT工作组，IGBT工作组包含至少两个并联设置的分流支路，每个分流支路均设有至少一个IGBT单管，IGBT单管的门极和发射极之间存在寄生电容，IGBT单管的门极和发射极之间连接有与寄生电容并联的工作电容。本发明降低了IGBT单管并联损坏的概率，提高并联电路的可靠性。

技术领域

本发明涉及IGBT电路技术领域，尤其涉及IGBT并联均流电路、均流方法及电机。

背景技术

现有的IGBT单管并联方案具有成本低、供应商选择多、散热结构设计多样化等优点，可通过拆装单个IGBT管改变客户需求的电流大小，更容易兼容相同电压平台的不同功率段产品。

但是IGBT单管并联方案也存在很多缺陷，由于每个IGBT单管的个体参数存在差异，门极和发射极之间寄生电容的不同会影响充电时间，若不采取有效的均流方法，并联使用时具有最低阈值电压Vge的IGBT单管最先打开，先导通的IGBT单管的阈值电压被钳位到米勒平台，因此其他单管无法马上导通，此时仅有最先开通的IGBT单管承受所有电流和开关损耗，极易出现损坏，电路可靠性比较差。

因此，如何设计提高可靠性的IGBT并联均流电路、均流方法及电机是业界亟待解决的技术问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在IGBT并联电路易损坏的缺陷，本发明提出IGBT单管。

本发明采用的技术方案是，设计IGBT并联均流电路，包括：IGBT工作组，IGBT工作组包含至少两个并联设置的分流支路，每个分流支路均设有至少一个IGBT单管，IGBT单管的门极和发射极之间存在寄生电容，IGBT单管的门极和发射极之间连接有与寄生电容并联的工作电容。

优选的，工作电容的电容值大于与其并联的寄生电容。

优选的，工作电容的电容值为与其并联的寄生电容的100倍。

优选的，工作电容的位置靠近其所连接的IGBT单管的门极与发射极。

优选的，工作电容的两端通过直线布置的导线连接在IGBT单管上。

优选的，分流支路的数量为三个。

优选的，每个分流支路设有两个串联的IGBT单管。

本发明还提出了IGBT并联电路的均流方法，包括：通过在IGBT单管的门极和发射极之间增设工作电容，以使各分流支路的导通时间趋于一致。

本发明还提出了电机，包括上述的IGBT并联均流电路。

优选的，电机设有三相电路，三相电路中的每一相均设有IGBT并联均流电路，IGBT并联均流电路包括三组IGBT工作组，三相电路中的每一相各设有一组IGBT工作组。

与现有技术相比，本发明通过IGBT单管的门极和发射极之间增设工作电容，以使IGBT工作组中各分流支路的导通时间趋于一致，防止单个IGBT单管导通承受较大电流而导致过流损坏，提高并联电路的安全性和可靠性。

附图说明

下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明，其中：

图1是本发明中IGBT并联均流电路的连接示意图；

图2是本发明中IGBT单管的V_ge变化示意图。

具体实施方式