[发明专利]场效应管的制备方法、场效应管及半导体衬底

权利要求书

1.一种场效应管的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，至少一部分所述半导体衬底上铺设有栅介质层，所述栅介质层上设有栅极结构以及侧墙，且侧墙至少覆盖所述栅极结构侧壁；其中，所述栅介质层下方预设区域的所述半导体衬底与预设区域外侧的所述半导体衬底形成台阶；

设置隔离层，所述隔离层覆盖所述台阶的部分侧壁；

在所述半导体衬底上配置源极以及漏极，所述源极以及所述漏极的顶面与所述台阶齐平。

2.如权利要求1所述的场效应管的制备方法，其特征在于，在所述提供半导体衬底的步骤中，包括：

沉积栅介质层，所述栅介质层覆盖所述半导体衬底；

在所述栅介质层上制作栅极结构；

形成至少覆盖所述栅极结构侧壁的侧墙；

进行刻蚀，去除所述栅极结构所在区域以外的栅介质层，并令所述所述栅介质层下方预设区域的所述半导体衬底高于预设区域外侧的所述半导体衬底。

3.如权利要求2所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述侧墙采用氮化硅材料，所述栅介质层采用氧化硅材料，所述刻蚀气体包括C₄F₈、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、CF₄、Ar、He、O₂中的一种或两种以上。

4.如权利要求2所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述设置隔离层，包括：

反掺杂隔离层，所述隔离层覆盖所述半导体衬底以及所述台阶的侧壁；

去除覆盖所述半导体衬底的所述隔离层；

刻蚀所述半导体衬底，形成所述台阶。

5.如权利要求1所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述设置隔离层后，还包括：

进行退火处理。

6.如权利要求1所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述隔离层为硼离子层或磷离子层。

7.如权利要求1所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述源极为外延源极；所述漏极为外延漏极。

8.根据权利要求1所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述场效应管为环绕栅极场效应管、鳍式场效应管或平面型场效应管。

9.如权利要求1所述的场效应管的制备方法，其特征在于，所述场效应管为NMOS、PMOS或CMOS器件。

10.一种场效应管，其特征在于，包括：

半导体衬底，至少一部分所述半导体衬底上铺设有栅介质层，所述栅介质层上设有栅极结构以及侧墙，且侧墙至少覆盖所述栅极结构侧壁；其中，所述栅介质层下方预设区域的所述半导体衬底与预设区域外侧的所述半导体衬底形成台阶，其中，所述栅介质层下方预设区域为半导体衬底上覆盖有栅介质层的区域；

隔离层，所述隔离层覆盖所述台阶的部分侧壁；

源极，所述源极设置于所述半导体衬底，且所述源极的顶面与所述台阶齐平；

漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底，且所述漏极的顶面与所述台阶齐平。

11.一种半导体衬底，其特征在于，包括：衬底本体以及隔离层；

所述衬底本体设有台阶；其中，所述台阶的台面用于设置栅介质层、栅极结构以及侧墙；

所述隔离层覆盖所述台阶的部分侧壁。