[发明专利]一种铜镍锡硫纳米晶的制备方法在审
申请号: | 201910246105.8 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109956504A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 朱艳;秦存鹏;沈韬;孙淑红 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C01G53/00 | 分类号: | C01G53/00;B82Y40/00 |
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地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米晶 铜镍锡 制备 薄膜太阳能电池 光电转换效率 高真空条件 光生载流子 热处理 太阳能电池 产物结晶 高能球磨 光电性能 光学性能 开路电压 可重复性 收集效率 无毒无害 仪器设备 分散剂 球料比 带隙 硫盐 镍盐 球磨 铜盐 锡盐 引入 调控 | ||
本发明公开一种铜镍锡硫纳米晶的制备方法,属于薄膜太阳能电池领域。本发明以铜盐、锡盐、镍盐、硫盐为原料,采用高能球磨法制备出具有不同带隙的铜镍锡硫(CNTS)纳米晶,并经过后续热处理得到光电性能良好的铜镍锡硫(CNTS)纳米晶。本发明所述方法工艺简单、产量大成本低,不需要高真空条件,对仪器设备要求低,实验可重复性和稳定性也比较好,引入元素无毒无害,产物结晶性好。通过调控球磨时间、球料比、分散剂含量可改善纳米晶的光学性能,从而提高对光生载流子的收集效率,进而提高了使用该纳米晶的太阳能电池的开路电压及光电转换效率。
技术领域
本发明涉及一种铜镍锡硫纳米晶的制备方法,属于薄膜太阳能电池领域。
背景技术
Cu2NiSnS4(CNTS)是一种直接带隙半导体材料,禁带宽度约为1.2~1.5 eV,与半导体太阳电池所要求的最佳禁带宽度(1.45eV) 十分接近,光吸收系数高达104 cm-1,非常适用于作为薄膜太阳能电池的吸收层。目前主流的CuIn1-xGaxSe(CIGS)薄膜太阳电池因其高转换效率和优良的稳定性已经实现了商业化,但In和Ga是稀有元素,成本较高,因而限制了CIGS的使用。Cu2NiSnS4具有与CIGS相似的晶体结构,组成元素在地壳中储量丰富且安全无毒,具有未来规模化应用的潜力。因此,CNTS有希望取代CIGS来制备低成本、高效率的薄膜太阳能电池的吸收层。
目前,制备CNTS粉体的方法主要有热注入法、水/溶剂热法、微波加热法、高温溶解法、一锅煮法、电沉积法等。其中,热注入法、电沉积法和溶剂热法是最常用的方法。经过文献检索发现,文献J. Mater. Chem., 2012, 22, 23136和ChemPlusChem 2015, 80, 1533– 1536均采用溶剂热法制备CNTS,但此工艺反应所需时间较长(>15h),并且反应不易控制,不利于实现快速、高效的制备CNTS纳米晶。文献Materials Letters166(2016)101–104采用了电沉积方法制备了CNTS纳米晶,但此方法对设备的要求较高,不利于低成本、大规模的制备CNTS纳米晶。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铜镍锡硫纳米晶的制备方法,该方法工艺简单,产量大,粉体粒径分布比较均匀,不需要高真空条件,对仪器设备要求低,实验可重复性和稳定性也比较好,所用材料成本低廉,引入元素无毒无害,产物结晶性好,这对于降低电池制作成本非常有利,具体包括以下步骤:
(1)将铜源、镍源、锡源及硫源按摩尔比为10-20:5-15:10-25:15-30的比例混合均匀。
(2)将混合粉末装入球磨罐中进行球磨混粉,球磨完成后,从球磨罐中取出粉末,清洗掉反应过程中的杂质,最后将清洗好的样品进行干燥。
(3)对步骤(2)得到的粉末进行后退火处理,将所得粉末放入箱式炉中,抽真空,充入氮气,炉中分压为50-75 torr;以1-5 ℃/min的升温速率升温至300-350℃,保温0.5-2.5h,随后以5-15℃/min的升温速率加热至500-600℃,并保温1-3 h,随炉冷却至室温,得到纯的CNTS纳米晶。
优选的,本发明步骤(1)中所述铜盐、镍盐、锡盐及硫源分别为CuS、NiS、Sn2S和S粉。
优选的,本发明步骤(2)中球磨的条件为:球磨机转速为 500-4000 r/min,室温下球磨2-8小时;球磨过程中在物料中加入0-15ml的无水乙醇作分散剂,选取直径为10-15mm和20-25mm两种磨球,磨球与混合粉末的质量比为5-50:1。
优选的,本发明步骤(2)中采用无水乙醇和甲醇进行清洗,整个清洗过程重复清洗3-5遍。
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