[发明专利]一种MIM电容结构及其制备方法

权利要求书

1.一种MIM电容结构，其特征在于，包括：

第一电极，所述第一电极包括相互连接的第一电极层和第一金属连接结构；

第二电极，所述第二电极包括相互连接的第二电极层和第二金属连接结构，所述第一电极和第二电极构成第一电容结构；

第三电极，所述第三电极包括相互连接的第三电极层和第一金属连接结构，所述第三电极层沿纵向间隔的设置在所述第一电容结构的一侧；

第四电极，所述第四电极包括相互连接的第四电极层和第二金属连接结构，所述第三电极和第四电极构成第二电容结构；

第一电极间介质层，所述第一电极间介质层覆盖所述第一电极层，所述第二电极层至少部分覆盖所述第一电极间介质层；以及

第二电极间介质层，所述第二电极间介质层覆盖所述第三电极层，所述第四电极至少部分覆盖所述第二电极间介质层。

2.如权利要求1所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第一金属连接结构包括：

第一金属层，所述第一金属层沿纵向间隔的设置在所述第一电容结构和第二电容结构的一侧；

第一金属互连线，所述第一金属互连线贯穿所述第一电极间介质层，且电性连接所述第一电极层和所述第三电极层；以及

第二金属互连线，所述第二金属互连线贯穿所述第二电极间介质层，且电性连接所述第三电极层和所述第一金属层。

3.如权利要求2所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第二金属连接结构包括：

第二金属层，所述第二金属层沿纵向间隔的设置在所述第一电容结构的一侧，同时，所述第二金属层沿横向间隔设置在所述第二电容结构的一侧；

第三金属层，所述第三金属层沿纵向间隔的设置在所述第一电容结构和第二电容结构的一侧，同时，所述第三金属层沿横向间隔设置在所述第一金属层的一侧；

第三金属互连线，所述第三金属互连线电性连接所述第二电极层和第二金属层；

第四金属互连线，所述第四金属互连线电性连接所述第二金属层和第三金属层；以及

第五金属互连线，所述第五金属互连线电性连接所述第四电极层和所述第三金属层。

4.如权利要求3所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第二金属层沿横向间隔设置在所述第三电极层的一侧。

5.如权利要求4所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第二电极层和第四电极层的材料均包括氮化钛。

6.如权利要求5所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第一电极和第三电极层的材料均包括钨、铜或铝。

7.如权利要求6所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第一金属连接结构和第二金属连接结构的材料均包括钨、铜或铝。

8.如权利要求7所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第一电极间介质层和第二电极间介质层的材料均包括氮化硅。

9.一种MIM电容结构的制备方法，制备如权利要求1-8中任一项所述的MIM电容结构，其特征在于，包括以下步骤：

形成第一电极层；

在所述第一电极层上自下至上依次形成第一电极间介质层、第二电极层和第一层间介质层；

刻蚀所述第一层间介质层和第一电极间介质层，以形成部分的第一金属连接结构和部分的第二金属连接结构；

在所述第一层间介质层上形成第三电极层；

在所述第三电极层上自下至上依次形成第二电极间介质层、第四电极层和第二层间介质层；

刻蚀所述第二层间介质层和第二电极间介质层，以形成剩余部分的所述第一金属连接结构和剩余部分的所述第二金属连接结构。